Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX600H 87.5-108 MHz Reference Circuit
MRFX600H-88MHZ
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Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
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Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
AFIC10275GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
AFT09MP055NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
AFT09MS031GNR1
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Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16
MD8IC970NR1
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Herramientas de desarrollo RF MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit
MMRF5014H-500MHZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50GNR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
MRF6V12250HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
MRF6V14300HSR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
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Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRF101AN 50 MHz Reference Circuit
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
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