Toshiba RF e inalámbricos

Tipos de RF e inalámbricos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Toshiba Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW
Hoja de datos
1 855En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Radio-frequency Bipolar Transistor
Hoja de datos
2 765En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
Hoja de datos
667En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
Hoja de datos
426En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000


Toshiba Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
Hoja de datos
Comentarios de Producto
1 958En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Toshiba Circuitos integrados de interruptores de RF RF SWITCH, SPDT, 0.7 TO 5GHZ, WCSP-14
Hoja de datos
4 390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000