Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL 166En existencias
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N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL 563En existencias
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N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL 249En existencias
500Se espera el 2/12/2026
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N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL 111En existencias
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N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100/TO270/REEL 264En existencias
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N-Channel LDMOS 65 V 143 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL 329En existencias
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N-Channel LDMOS 65 V 370 mOhms 2 GHz 19.3 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL 300En existencias
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N-Channel LDMOS 65 V 185 mOhms 2 GHz 19.3 dB 70 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP 82En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 65 V 95 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 15 dB 250 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP 48En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 48 V 250 mOhms, 370 mOhms 600 MHz to 960 MHz 18.6 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP 57En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 48 V 174 mOhms, 250 mOhms 600 MHz to 960 MHz 19 dB 500 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-6F-1-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/REELD 179En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 48 V 107 mOhms, 155 mOhms 617 MHz to 960 MHz 17.8 dB 850 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-1230-6F-1-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/TO270/REEL 203En existencias
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N-Channel LDMOS 40 V 128 mOhms 941 MHz 18.8 dB 25 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY 69En existencias
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N-Channel LDMOS 65 V 300 mOhms 2.7 GHz to 3.5 GHz 12 dB 50 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY 42En existencias
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N-Channel LDMOS 65 V 300 mOhms 2.7 GHz to 3.5 GHz 12 dB 50 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY 50En existencias
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N-Channel GaN Si 50 V 240 mOhms 0 Hz to 3.5 GHz 15 dB 100 W + 300 C SMD/SMT SOT467B-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL 79En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.7 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL 90En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/REEL 100En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 65 V 65 mOhms, 111 Ohms 2.11 GHz to 2.18 GHz 15.7 dB 570 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL 97En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 6.4 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP 96En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP 35En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC 41En existencias
100Se espera el 4/9/2026
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LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL 30En existencias
200Se espera el 29/9/2026
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N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 21 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL 47En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
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N-Channel LDMOS 65 V 185 mOhms 2 GHz 17.8 dB 70 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL 46En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel