Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
BLM9D2327-26BZ
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LDMOS
65 V
2.3 GHz to 2.7 GHz
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QFN-20
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N-Channel
LDMOS
50 V
890 mOhms
2 GHz
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SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
CLF3H0035-100U
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GaN Si
50 V
240 mOhms
0 Hz to 3.5 GHz
15 dB
100 W
+ 300 C
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SOT467C-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY
ART150FEU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY
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N-Channel
LDMOS
65 V
482 mOhms
1 MHz to 650 MHz
31 dB
150 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT467C-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
BLM9D1822S-60PBGY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
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LDMOS
65 V
1.8 GHz to 2.2 GHz
28.3 dB
45.4 dBm
+ 150 C
SMD/SMT
OMP-780-16G-1-16
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LDMOS
50 V
30 mOhms
2 GHz
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+ 225 C
SMD/SMT
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
BLP15H9S100GZ
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94-BLP15H9S100GZ
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N-Channel
LDMOS
50 V
30 mOhms
2 GHz
19 dB
100 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
BLP15H9S30XY
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94-BLP15H9S30XY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
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95 Se espera el 9/9/2026
100 Se espera el 21/9/2026
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₡13 422,80
10
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100
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200
₡8 405,52
500
₡8 285,81
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N-Channel
LDMOS
50 V
890 mOhms
2 GHz
22 dB
30 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
BLS9G3135L-115U
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94-BLS9G3135L-115U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
18 Se espera el 27/8/2026
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N-Channel
LDMOS
65 V
120 mOhms
3.1 GHz to 3.5 GHz
14 dB
115 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT1135A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
ART150PEGZ
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94-ART150PEGZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
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N-Channel
LDMOS
65 V
497 mOhms
1 MHz to 650 MHz
31.2 dB
150 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
ART150PEZ
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₡25 362,28
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94-ART150PEZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
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N-Channel
LDMOS
65 V
497 mOhms
1 MHz to 650 MHz
31.2 dB
150 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL
ART1K6FHGJ
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94-ART1K6FHGJ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL
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Dual N-Channel
LDMOS
55 V
84 mOhms
1 MHz to 425 MHz
28 dB
1.6 kW
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1248C-5
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHS/SOT539/TRAY
ART1K6FHSU
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1:
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94-ART1K6FHSU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHS/SOT539/TRAY
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1
₡133 926,16
10
₡111 213,05
25
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Mult.: 1
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Dual N-Channel
LDMOS
55 V
84 mOhms
1 MHz to 425 MHz
28 dB
1.6 kW
+ 225 C
SMD/SMT
SOT539BN-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL
ART1K6PHGY
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100:
₡95 250,37
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94-ART1K6PHGY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL
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100
Detalles
LDMOS
177 V
1 MHz to 450 MHz
27.3 dB
1.6 kW
+ 225 C
SMD/SMT
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY
ART1K6PHGZ
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60:
₡99 117,43
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94-ART1K6PHGZ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 60
Mult.: 60
Carrete :
60
Detalles
LDMOS
177 V
1 MHz to 450 MHz
27.3 dB
1.6 kW
+ 225 C
SMD/SMT
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL
ART1K6PHY
Ampleon
100:
₡95 250,37
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHY
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
LDMOS
177 V
1 MHz to 450 MHz
27.3 dB
1.6 kW
+ 225 C
SMD/SMT
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY
ART1K6PHZ
Ampleon
60:
₡98 217,03
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHZ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 60
Mult.: 60
Carrete :
60
Detalles
LDMOS
177 V
1 MHz to 450 MHz
27.3 dB
1.6 kW
+ 225 C
SMD/SMT
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FEG/SOT1248/REEL
ART2K0FEGJ
Ampleon
100:
₡127 311,04
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0FEGJ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FEG/SOT1248/REEL
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Carrete :
100
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Dual N-Channel
LDMOS
65 V
100 mOhms
1 MHz to 400 MHz
28.4 dB
2 kW
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1248C-5
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
ART2K0FESJ
Ampleon
100:
₡119 967,27
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0FESJ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Comprar
Min.: 100
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Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
100 mOhms
1 MHz to 400 MHz
28.4 dB
2 kW
+ 225 C
SMD/SMT
SOT539BN-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/REEL
ART2K0PEGY
Ampleon
100:
₡102 734,67
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0PEGY
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
106 mOhms
1 MHz to 450 MHz
27.7 dB
2 kW
+ 225 C
SMD/SMT
OMP-1230-4G-1-5
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY
ART2K0PEGZ
Ampleon
60:
₡107 330,37
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0PEGZ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
106 mOhms
1 MHz to 450 MHz
27.7 dB
2 kW
+ 225 C
SMD/SMT
OMP-1230-4G-1-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/REEL
ART2K0PEY
Ampleon
100:
₡103 328,00
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0PEY
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
106 mOhms
1 MHz to 450 MHz
27.7 dB
2 kW
+ 225 C
SMD/SMT
OMP-1230-4F-1-5
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/TRAY
ART2K0PEZ
Ampleon
60:
₡106 544,47
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0PEZ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
106 mOhms
1 MHz to 450 MHz
27.7 dB
2 kW
+ 225 C
SMD/SMT
OMP-1230-4F-1-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFE/ACC-1230/REEL
ART2K0TFEJ
Ampleon
100:
₡134 207,21
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFEJ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFE/ACC-1230/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
107 mOhms
1 MHz to 400 MHz
29 dB
2 kW
+ 225 C
Screw Mount
ACC-1230-6F-3-7
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFES/ACC-1230/REEL
ART2K0TFESJ
Ampleon
100:
₡129 887,35
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFESJ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFES/ACC-1230/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
107 mOhms
1 MHz to 400 MHz
29 dB
2 kW
+ 225 C
SMD/SMT
ACC-1230-6F-2-7
Reel