Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1 500Se espera el 18/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
4 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 21 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
120Se espera el 10/11/2026
Min.: 1
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N-Channel GaN Si 50 V 240 mOhms 0 Hz to 3.5 GHz 15 dB 100 W + 300 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY
120Se espera el 20/11/2026
Min.: 1
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N-Channel LDMOS 65 V 482 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 150 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
200Se espera el 26/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 28.3 dB 45.4 dBm + 150 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
300En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
450Se espera el 9/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
195En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 22 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
18Se espera el 27/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 120 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 14 dB 115 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHS/SOT539/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60
: 60

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60
: 60

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FEG/SOT1248/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFE/ACC-1230/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C Screw Mount ACC-1230-6F-3-7 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFES/ACC-1230/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 Reel