IXZR16N60

ZiLOG
747-IXZR16N60
IXZR16N60

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 30   Múltiples: 30
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡15 173 ₡455 190
₡14 697 ₡881 820
₡14 222 ₡1 706 640
₡13 270 ₡3 582 900
₡12 134 ₡6 188 340
1 020 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ZiLOG
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
18 A
600 V
530 mOhms
350 W
- 55 C
+ 175 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Marca: ZiLOG
Transconductancia hacia delante - Mín.: 6.4 S
Número de canales: 1 Channel
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Qg - Carga de puerta: 42 nC
Serie: IXZR16
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.6 V
Peso de la unidad: 7,136 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Power MOSFET

IXYS Power MOSFET is designed for RF applications below 100MHz, linear applications, and high-power, high-frequency, and high-speed switching applications. This Power MOSFET is available in a TO-247-3 package style for a broad spectrum of market needs, electrical design requirements, and mechanical and mounting specifications.

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