Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
STD130N6F7
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511-STD130N6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
STD18N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD6N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
STD170N4F7AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
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DPAK-3 (TO-252-3)
SCR 16 A High Temperature 800 V SCR
TN1605H-8BTR
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SCR 16 A High Temperature 800 V SCR
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DPAK
Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Snubberless T-Series Triac
T1635T-8G
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Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Snubberless T-Series Triac
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Triacs
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
STGD5H60DF
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
SCR 80 A 800 V High Temperature Thyristor (SCR) in D3PAK package
TM8050H-8D3-TR
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511-TM8050H-8D3-TR
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SCR 80 A 800 V High Temperature Thyristor (SCR) in D3PAK package
168 En existencias
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SCRs
SMD/SMT
D3PAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
STD11N60M6
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511-STD11N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
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MOSFETs
Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N60M6
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511-STD12N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD7N60DM2
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STD7N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
STD80N6F7
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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511-STD80N6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
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MOSFETs
Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A dual Power Schottky Rectifier
STPS20120CB-TR
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511-STPS20120CB-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A dual Power Schottky Rectifier
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
STD134N4F7AG
STMicroelectronics
2 500:
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STD134N4F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)