Single Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET
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1 555En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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809En existencias
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: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
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3 047En existencias
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: 2 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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861En existencias
Min.: 1
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: 1 800

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 21A N-CH MOSFET
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5 390En existencias
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: 2 500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 20A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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4 748En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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1 731En existencias
Min.: 1
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Vishay Semiconductors Rectificadores RECT 600V 3A SM STD RCOVR
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12 930En existencias
Min.: 1
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: 14 000

STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
Hoja de datos
11 061En existencias
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: 6 000


Diodes Incorporated Rectificadores Standard Recovery Rectifier SOD123F T&R 3K
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14 804En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 3 000
IXYS Rectificadores Power Diode Discretes-Rectifier TO-247AD
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1 590En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET
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5 047En existencias
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: 2 500

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
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2 004En existencias
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: 1 000

Vishay Semiconductors Rectificadores RECT 400V 3A SM STD RCOVR
Hoja de datos
13 750En existencias
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Mult.: 1
: 14 000

Vishay Semiconductors Rectificadores RECT 400V 2A SM STD RCOVR
Hoja de datos
13 810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 500

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS PQFN88 650V
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5 818En existencias
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Mult.: 1
: 3 000

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
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613En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
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1 858En existencias
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Min.: 1
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: 2 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
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2 960En existencias
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: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
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2 962En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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1 112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
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318En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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1 914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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2 714En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 27A N-CH MOSFET
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5 077En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500