Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,20-500MHz,28V,10W
MRF321
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₡83 711,40
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,20-500MHz,28V,10W
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Detectores de fase/ tramoyistas Phase Detector,Module,CS121
MSPD1012-121-R
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Detectores de fase/ tramoyistas Phase Detector,Module,CS121
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Detectores de fase/ tramoyistas Phase Detector,Epoxy Encap.,CS122
MSPD1013-122-R
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Detectores de fase/ tramoyistas Phase Detector,Epoxy Encap.,CS122
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky Diode,Chip,Package T86
MSS20-047-T86
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky Diode,Chip,Package T86
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Circuitos integrados de interruptores de RF Asymmetrical T-R Switch TX Left
MSW2010-201-W
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Circuitos integrados de interruptores de RF Asymmetrical T-R Switch TX Left
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Diodos PIN Switch,SP2T,(MSW2011-201)
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MSW2011-201-T
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Diodos PIN Switch,SP2T,(MSW2011-201)
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch,(MSW2041-204)
MSW2041-204-R
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch,(MSW2041-204)
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch, Assembly, SP2T,
MSW2041-204-T
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch Limiter,MSWLM2420-242
MSWLM2420-242-R
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937-MSWLM2420-242-R
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch Limiter,MSWLM2420-242
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GaN FETs Transistor,GaN,DC-3000MHz
NPT25015D
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937-NPT25015D
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GaN FETs Transistor,GaN,DC-3000MHz
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
PH2729-110M
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937-PH2729-110M
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz
PH2729-65M
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937-PH2729-65M
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz
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Diodos PIN Diode,SMV2302A-SOT23-R
SMV2302A-SOT23-R
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937-SMV2302A-SOT23-R
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Diodos PIN Diode,SMV2302A-SOT23-R
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Circuitos integrados de interruptores de RF SPST Switch, 3mm-12lead PQFN
MASWSS0148TR-3000
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937-SS0148TR-3000
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Circuitos integrados de interruptores de RF SPST Switch, 3mm-12lead PQFN
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
UF2840G
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₡156 159,20
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UF2840G
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
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Amplificador de RF MMIC,VR,BUF,WIN
XB1005-BD-000V
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100:
₡24 621,00
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937-XB1005-BD-000V
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Amplificador de RF MMIC,VR,BUF,WIN
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Amplificador de RF MMIC,PK,BUF,4-11GHz,T&R,16L QFN(3X3)
XB1007-QT-0GPT
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₡18 310,60
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937-XB1007-QT-0GPT
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Amplificador de RF MMIC,PK,BUF,4-11GHz,T&R,16L QFN(3X3)
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Amplificador de RF MMIC,BUFFER AMP,PKG, QFN 16L (3X3),BULK
XB1008-QT-0G00
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Amplificador de RF MMIC,BUFFER AMP,PKG, QFN 16L (3X3),BULK
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GaN FETs 25W, 4.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40025P)
CG2H40025P
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941-CG2H40025P
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GaN FETs 25W, 4.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40025P)
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GaN FETs GaN HEMT, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL
CG2H40035P
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N.º de artículo de Mouser
941-CG2H40035P
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GaN FETs GaN HEMT, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL
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GaN FETs 45W, 4.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40045P)
CG2H40045P
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₡193 633,00
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
941-CG2H40045P
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GaN FETs 45W, 4.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40045P)
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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GaN FETs 120W, G28V4, 4.0GHz, GaN HEMT, PILL
CG2H40120P
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₡270 674,40
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
941-CG2H40120P
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GaN FETs 120W, G28V4, 4.0GHz, GaN HEMT, PILL
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Herramientas de desarrollo RF DIE, GAN HEMT, 45W, DC-8.0GHz, G28V4, GP
CG2H80045D-GP4
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10:
₡121 695,60
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
941-CG2H80045DGP4
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Herramientas de desarrollo RF DIE, GAN HEMT, 45W, DC-8.0GHz, G28V4, GP
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GaN FETs GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
CG2H80120D-GP4
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Disponibilidad restringida
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941-CG2H80120D-GP4
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GaN FETs GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
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GaN FETs 120W, 2.5GHz, 830139F, GaN HEMT, 28V, FL
CGH25120F
MACOM
10:
₡387 869,20
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
941-CGH25120F
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GaN FETs 120W, 2.5GHz, 830139F, GaN HEMT, 28V, FL
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Mult.: 10
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