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STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB30N80K5
STMicroelectronics
1: ₡4 605,20
134En existencias

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STB30N80K5

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511-STB30N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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₡4 605,20

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₡2 256,20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB5N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 595,00
700En existencias

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STB5N80K5

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511-STB5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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₡1 595,00

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₡736,60

₡609,00

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₡524,32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB6N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 624,00
634En existencias

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STB6N80K5

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511-STB6N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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₡1 624,00

₡1 049,80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

STB80N20M5
STMicroelectronics
1: ₡3 439,40
14En existencias
2 000En pedido

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STB80N20M5

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511-STB80N20M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

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14En existencias

2 000En pedido

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₡3 439,40

₡2 395,40

₡1 728,40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

STB8N65M5
STMicroelectronics
1: ₡2 006,80
908En existencias

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STB8N65M5

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511-STB8N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

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₡2 006,80

₡1 310,80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD11N50M2
STMicroelectronics
1: ₡870,00
974En existencias

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STD11N50M2

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511-STD11N50M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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₡870,00

₡551,00

₡367,14

₡287,68

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₡234,90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD11N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡1 328,20
1 878En existencias

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STD11N60DM2

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511-STD11N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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₡1 328,20

₡852,60

₡578,84

₡462,84

₡431,52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50M2
STMicroelectronics
1: ₡1 206,40
678En existencias

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STD12N50M2

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511-STD12N50M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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₡384,54

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₡359,60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N65M2
STMicroelectronics
1: ₡1 264,40
424En existencias
2 500Se espera el 6/4/2026

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STD12N65M2

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424En existencias

2 500Se espera el 6/4/2026

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₡1 264,40

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₡551,58

₡440,22

₡406,58

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₡374,68

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in

STD14NM50NAG
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1: ₡1 473,20
1 088En existencias

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STD14NM50NAG

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511-STD14NM50NAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in

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₡1 473,20

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₡655,40

₡523,74

₡507,50

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₡486,04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60DM6
STMicroelectronics
1: ₡1 624,00
733En existencias

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STD15N60DM6

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511-STD15N60DM6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

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₡1 624,00

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₡725,00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N50M2
STMicroelectronics
1: ₡1 281,80
551En existencias
2 500Se espera el 19/3/2026

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STD16N50M2

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511-STD16N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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551En existencias

2 500Se espera el 19/3/2026

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₡1 281,80

₡823,60

₡558,54

₡445,44

₡420,50

Envase tipo carrete

₡400,20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 490,60
18En existencias

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STD16N60M6

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511-STD16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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18En existencias

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₡1 490,60

₡962,80

₡690,20

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₡497,64

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₡497,64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD3LN80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 055,60
1 613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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1 613En existencias

Cinta cortada

₡1 055,60

₡672,80

₡450,08

₡356,12

₡326,54

Envase tipo carrete

₡303,92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STD3N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 078,80
315En existencias
2 500Se espera el 19/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD3N80K5

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511-STD3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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315En existencias

2 500Se espera el 19/3/2026

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₡1 078,80

₡690,20

₡461,68

₡365,40

₡336,98

Envase tipo carrete

₡314,94

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4LN80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 241,20
1 140En existencias

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STD4LN80K5

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511-STD4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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1 140En existencias

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₡1 241,20

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₡538,24

₡428,62

₡400,20

Envase tipo carrete

₡374,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD5N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡759,80
1 411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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1 411En existencias

Cinta cortada

₡759,80

₡477,92

₡316,10

₡258,68

₡235,48

Envase tipo carrete

₡191,40

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

STD6N52K3
STMicroelectronics
1: ₡1 055,60
1 330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

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1 330En existencias

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₡1 055,60

₡672,80

₡452,40

₡357,86

₡328,86

Envase tipo carrete

₡306,82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N65M2
STMicroelectronics
1: ₡1 148,40
1 003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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1 003En existencias

Cinta cortada

₡1 148,40

₡736,60

₡509,24

₡432,10

₡367,14

Envase tipo carrete

₡343,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N90K5
STMicroelectronics
1: ₡1 873,40
518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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518En existencias

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₡1 873,40

₡1 223,80

₡846,80

₡765,60

₡684,40

Envase tipo carrete

₡661,20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II

STD8NM50N
STMicroelectronics
1: ₡1 705,20
1 037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD8NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II

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1 037En existencias

Cinta cortada

₡1 705,20

₡1 107,80

₡765,60

₡638,00

₡609,00

Envase tipo carrete

₡591,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD9N40M2
STMicroelectronics
1: ₡875,80
3 424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9N40M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD9N40M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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3 424En existencias

Cinta cortada

₡875,80

₡553,90

₡368,88

₡297,54

₡269,12

Envase tipo carrete

₡236,64

MouseReel Disponible

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Carrete: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STD9N60M2
STMicroelectronics
1: ₡974,40
116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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116En existencias

Cinta cortada

₡974,40

₡620,60

₡412,96

₡325,38

₡296,96

Envase tipo carrete

₡270,28

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF10N80K5
STMicroelectronics
1: ₡2 215,60
569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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569En existencias

₡2 215,60

₡1 165,80

₡1 061,40

₡870,00

₡800,40

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF11N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡1 363,00
303En existencias
2 000Se espera el 19/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF11N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF11N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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303En existencias

2 000Se espera el 19/3/2026

₡1 363,00

₡667,00

₡597,40

₡476,76

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