Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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2 404En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 37 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V
Hoja de datos
640En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL
Hoja de datos
2 701En existencias
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Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
Hoja de datos
1 381En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
Hoja de datos
1 340En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
Hoja de datos
2 980En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
Hoja de datos
930En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
1 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel
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1 501En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
Hoja de datos
41En existencias
3 000Se espera el 26/6/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel
Hoja de datos
2 938En existencias
3 000Se espera el 26/5/2026
Min.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel
Hoja de datos
862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
Hoja de datos
280En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si LFPAK-4 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
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2 759En existencias
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Min.: 1
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Si LFPAK-4 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
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8En existencias
3 000Se espera el 17/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
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1 048En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 142 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL
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655En existencias
1 500Se espera el 3/4/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL
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1 291En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 500

Si WDFN-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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1 485En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 20.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
1 497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM
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1 012En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 47 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 19.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
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1 450En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 22.1 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 10.3 nC - 55 C + 175 C 14.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF
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1 182En existencias
4 500Se espera el 9/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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468En existencias
1 500Se espera el 14/4/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
Hoja de datos
1 500En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 51 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel