Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Resultados: 451

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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Cinta cortada

₡864,20

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₡371,20

₡291,16

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Envase tipo carrete

₡247,08

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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1 Channel

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41 A

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

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NVTFS5C471NLWFTAG

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onsemi

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567En existencias

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Cinta cortada

₡585,80

₡448,34

₡403,10

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Envase tipo carrete

₡345,10

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SMD/SMT

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Enhancement

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onsemi

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1 790En existencias

Cinta cortada

₡1 136,80

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1.2 V

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Enhancement

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1 500Se espera el 6/4/2026

Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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70 A

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Enhancement

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NVTFS5C673NLWFTAG
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onsemi

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Cinta cortada

₡1 189,00

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₡533,60

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Envase tipo carrete

₡382,80

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N-Channel

1 Channel

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46 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel

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NVTFWS002N04CTAG

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863-NVTFWS002N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel

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940En existencias

Cinta cortada

₡1 560,20

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Envase tipo carrete

₡505,18

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N-Channel

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136 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFWS003N04CTAG
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NVTFWS003N04CTAG

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

₡455,88

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

WDFN-8

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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NVTFWS024N06CTAG

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Cinta cortada

₡1 078,80

₡690,20

₡462,84

₡366,56

Envase tipo carrete

₡306,24

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SMD/SMT

WDFN-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C470NLT1G
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48En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C470NLT1G

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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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Cinta cortada

₡1 409,40

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Envase tipo carrete

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

9.2 mOhms, 9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C680NLT1G
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179En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C680NLT1G

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NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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179En existencias

Cinta cortada

₡1 426,80

₡922,20

₡643,80

₡565,50

₡544,62

Envase tipo carrete

₡466,90

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

26 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

NVMFS4C05NT1G
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C05NT1G

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NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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1 416En existencias

Cinta cortada

₡1 508,00

₡974,40

₡667,00

₡535,92

Envase tipo carrete

₡453,56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

116 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.61 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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NVMFS5C468NLWFAFT1G
onsemi
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1 735En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NLWFA1

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Hoja de datos

1 735En existencias

Cinta cortada

₡574,20

₡571,88

₡502,86

₡422,24

Envase tipo carrete

₡360,18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

37 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

NVMFS5C646NLWFAFT1G
onsemi
1: ₡1 757,40
447En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C646NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C646NWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

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Hoja de datos

447En existencias

Cinta cortada

₡1 757,40

₡1 229,60

₡858,40

₡730,80

₡713,40

Envase tipo carrete

₡614,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

93 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33.7 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel

NVMJS2D5N06CLTWG
onsemi
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMJS2D5N06CLTWG

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863-NVMJS2D5N06CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel

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Hoja de datos

40En existencias

Cinta cortada

₡1 519,60

₡980,20

₡655,40

₡526,64

Envase tipo carrete

₡431,52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

31 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

NVTFS4C05NTAG
onsemi
1: ₡835,20
50En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C05NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C05NTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

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Hoja de datos

50En existencias

Cinta cortada

₡835,20

₡552,16

₡460,52

₡442,54

Envase tipo carrete

₡419,92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

102 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NWFTAG
onsemi
1: ₡487,20
794En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C13NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C13NWFTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

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Hoja de datos

794En existencias

Cinta cortada

₡487,20

₡485,46

₡432,68

₡364,82

₡320,74

Envase tipo carrete

₡313,20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

15.2 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM

NVTFS4C25NTAG
onsemi
1: ₡748,20
967En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C25NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C25NTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM

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Hoja de datos

967En existencias

Cinta cortada

₡748,20

₡473,28

₡313,20

₡243,60

Envase tipo carrete

₡206,48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

22.1 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

10.3 nC

- 55 C

+ 175 C

14.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

NVTFS5C680NLWFTAG
onsemi
1: ₡875,80
968En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C680NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C680NWFTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

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Hoja de datos

968En existencias

Cinta cortada

₡875,80

₡563,18

₡404,84

₡321,90

₡317,84

Envase tipo carrete

₡259,84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 175 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFS016N06CT1G
onsemi
1: ₡1 142,60
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS016N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS016N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

1 500En existencias

Cinta cortada

₡1 142,60

₡725,00

₡491,84

₡390,34

₡389,76

Envase tipo carrete

₡340,46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH

NTTFS4C13NTAG
onsemi
1: ₡487,20
8En existencias
10 500Se espera el 13/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C13NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C13NTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH

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Hoja de datos

8En existencias

10 500Se espera el 13/4/2026

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₡487,20

₡298,12

₡198,36

₡156,02

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Envase tipo carrete

₡123,54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

38 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

21.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C650NLWFT1G
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NVMFD5C650NLWFT1G

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

111 A

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 71A N-Channel Single Power MOSFET

NTMFS5C670NLT3G
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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5 000

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

NTMTS001N06CLTXG
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5 998Se espera el 9/6/2027

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NTMTS001N06CLTXG

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

Power-88-8

N-Channel

1 Channel

60 V

398.2 A

810 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS1D2N04CLTWG
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NTMYS1D2N04CLTWG

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863-NTMYS1D2N04CLTWG

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

258 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NTMYS2D9N04CLTWG
onsemi
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3 000Se espera el 11/5/2026

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NTMYS2D9N04CLTWG

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863-NTMYS2D9N04CLTWG

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W