Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
Hoja de datos
24 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 433 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 99 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
7 500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
18 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
Hoja de datos
1 500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 362 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 149 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
Hoja de datos
43 500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 353 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 110 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S0
Hoja de datos
10 500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
Hoja de datos
9 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
16 500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
Hoja de datos
9 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
Hoja de datos
7 500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 77 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
16 500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
21 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel
onsemi NTMFD024N06CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
10 500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si Reel, Cut Tape
onsemi NTMFS024N06CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER
Hoja de datos
48 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si 60 V Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFS5C646NT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
Hoja de datos
3 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si Reel, Cut Tape
onsemi NTMYS2D1N04CLTWG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
Hoja de datos
9 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si 40 V Reel
onsemi NTTFS024N06CTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
1 000Se espera el 11/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS5C673NWFT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
Hoja de datos
12 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 245 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 94 nC - 55 C + 175 C 124 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 362 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 149 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
Si SO-8FL Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000
Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000
Si SMD/SMT SO-8FL Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 820 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 66 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel