Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 553.8 A 400 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 163 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 558 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 251 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 70 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 353 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000
Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 376 A 910 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 113 nC - 55 C + 175 C 5 W, 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 558 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 251 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 433 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 1 V 205 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 241 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 82 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si LFPAK-8 AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si LFPAK-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT WDFN-8 AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Carrete: 5 000
Si SMD/SMT WDFN-8 AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel
onsemi NTMFS016N06CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si Reel, Cut Tape