Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 452
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL 2 900En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH 15 128En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 373A 750MO 3 686En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 3 499En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 6 160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 10 077En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK 2 269En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 163 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 80.6 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1 685En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 41 A, 235 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1 490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 1 390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 5 000En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5 000
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO 4 440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 60 V 422 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 143 nC - 55 C + 175 C 284 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE 845En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 10 243En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NTMFS0D6N03CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION 4 334En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 433 A 620 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 65 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION 2 342En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 533 A 480 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 187 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel 2 394En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.7 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 805En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 760 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM 1 355En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 25 V 22.4 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 2.66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 1 795En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 155 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 9 354En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 2 353En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 2 016En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 2 178En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.2 mOhms, 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF 1 399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 114 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel