Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
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47 791En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH MOSFET 100V 12A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
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20 344En existencias
8 374Se espera el 21/5/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel
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14 423En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 540mA
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24 000Se espera el 3/7/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 300mA
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27 000Se espera el 2/3/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFET 20V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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47 041En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
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47 022En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
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23 470En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL
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24 880En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC
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15 483En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
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113 005En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC
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23 740En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K
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8 323En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
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24 869En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
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46 669En existencias
69 000Se espera el 21/8/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
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38 922En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K
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13 639En existencias
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