Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
SH8JE5TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 4.5A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 4.5A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
SH8KE7TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
4 733 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
SH8ME5TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET
UT6KE5TCR
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755-UT6KE5TCR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A/1.0A, Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
UT6ME5TCR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A/1.0A, Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
17 088 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
YQ10RSM10SDTFTL1
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
7 353 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD: The YQ10RSM10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temp
YQ10RSM10SDTL1
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD: The YQ10RSM10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temp
7 594 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
YQ12RSM10SDTFTL1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
3 980 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
YQ12RSM10SDTL1
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755-YQ12RSM10SDTL1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
3 668 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
YQ15RSM10SDTFTL1
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1:
₡1 194,80
5 672 En existencias
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755-YQ15RSM10SDTFTL1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
5 672 En existencias
1
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₡429,20
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
YQ15RSM10SDTL1
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1:
₡1 084,60
4 095 En existencias
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755-YQ15RSM10SDTL1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
4 095 En existencias
1
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4 000
₡357,28
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
YQ20BGE10SDTL
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1:
₡968,60
4 820 En existencias
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755-YQ20BGE10SDTL
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
4 820 En existencias
1
₡968,60
10
₡690,20
100
₡486,04
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₡385,12
1 000
₡353,22
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
YQ20NL10CDFHTL
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1:
₡1 513,80
1 900 En existencias
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755-YQ20NL10CDFHTL
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
1 900 En existencias
1
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₡713,40
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₡667,00
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10CD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
YQ20NL10CDTL
ROHM Semiconductor
1:
₡1 484,80
1 970 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ20NL10CDTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10CD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
1 970 En existencias
1
₡1 484,80
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100
₡696,00
500
₡591,60
1 000
₡577,68
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₡552,16
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
YQ20NL10SEFHTL
ROHM Semiconductor
1:
₡1 653,00
2 000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ20NL10SEFHTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
2 000 En existencias
1
₡1 653,00
10
₡1 067,20
100
₡765,60
500
₡638,00
1 000
₡552,16
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
YQ20NL10SETL
ROHM Semiconductor
1:
₡1 386,20
1 988 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ20NL10SETL
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
1 988 En existencias
1
₡1 386,20
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100
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500
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1 000
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ30NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
YQ30NL10SETL
ROHM Semiconductor
1:
₡1 287,60
1 908 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ30NL10SETL
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ30NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
1 908 En existencias
1
₡1 287,60
10
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₡572,46
1 000
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
YQ3RSM10SDTFTL1
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1:
₡829,40
3 852 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ3RSM10SDTFTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
3 852 En existencias
1
₡829,40
10
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1 000
Ver
4 000
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₡273,76
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₡263,90
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Min.: 1
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Detalles
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
YQ5RSM10SDTFTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡794,60
3 900 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ5RSM10SDTFTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
3 900 En existencias
1
₡794,60
10
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Ver
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2 000
₡262,74
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₡252,88
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Mult.: 1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
YQ5RSM10SDTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡707,60
3 955 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ5RSM10SDTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
3 955 En existencias
1
₡707,60
10
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₡211,70
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
YQ8RSM10SDTFTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡1 119,40
3 867 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ8RSM10SDTFTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
3 867 En existencias
1
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₡332,34
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
YQ8RSM10SDTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡870,00
3 905 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ8RSM10SDTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
3 905 En existencias
1
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10
₡585,80
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Ver
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₡277,82
1 000
₡297,54
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₡288,84
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₡277,82
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
RD3L07BATTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡1 798,00
37 371 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RD3L07BATTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
37 371 En existencias
1
₡1 798,00
10
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100
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₡684,40
1 000
₡638,00
2 500
₡638,00
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Min.: 1
Mult.: 1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 20V 2A SM SKY BARRI
RB061QS-20T18R
ROHM Semiconductor
1:
₡406,00
2 692 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RB061QS-20T18R
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 20V 2A SM SKY BARRI
2 692 En existencias
1
₡406,00
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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