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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

NXP Semiconductors Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 150
Mult.: 150
Carrete: 150

NXP Semiconductors A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors Amplificador de RF A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
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Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors MMRF2010NR1
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors AFM912NT1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

NXP Semiconductors AFV121KHR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

NXP Semiconductors MRFE6VP5150GNR1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
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Plazo de entrega no en existencias 99 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500