Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS IGBTs TO247 2500V 16A IGBT
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287En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
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374En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
Littelfuse SCR SCR 400V 65A Iso
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271En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
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670En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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1 156En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
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519En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
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1 650En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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278En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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646En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
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710En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds
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753En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
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290En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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1 270En existencias
150Se espera el 8/6/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR 600V 4A
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11 996En existencias
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Carrete: 2 500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR 8A 800V
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3 243En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 2 500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR SCR 800V 35A Iso
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421En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse SCR SCR 800V 65A Iso
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459En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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396En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V
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265En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds
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333En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 650V/108A Ultra Junction X2-Class
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254En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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1 727En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
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739En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
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267En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3