Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
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374En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
Littelfuse SCR 400V 0.8A 200uA
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4 326En existencias
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Carrete: 2 000

SCRs Through Hole TO-92
Littelfuse SCR 400V .8A 50uA Sensing
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18 526En existencias
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SCRs Through Hole TO-92
Littelfuse SCR 600V 4A 0.2mA TO252 High Temp 150c SCR
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3 845En existencias
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SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR 1.5A 200uA 600V Sensing
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3 062En existencias
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SCRs Through Hole TO-92
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja Sonic Fast Recovery Diode
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299En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-247
IXYS Rectificadores 30 Amps 1600V
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3 152En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-220-2
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
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142En existencias
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
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264En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
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889En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
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265En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
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406En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
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261En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
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1 798En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS IGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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455En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A
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452En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
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578En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
Littelfuse SCR 200V 4A
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6 442En existencias
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SCRs Through Hole TO-225-3
Littelfuse SCR SCR 600V 35A Iso
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1 511En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse SCR 25A High Temp Thyristor
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982En existencias
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SCRs Through Hole TO-220-2
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
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794En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
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1 067En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
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209En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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326En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET
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140En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-268-3