Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
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268En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
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298En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS
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410En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A
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250En existencias
50Se espera el 7/7/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack
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260En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
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335En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 1200V 85A XPT
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475En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
Littelfuse SCR SCR 400V 65A Iso
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271En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
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798En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
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670En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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1 152En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
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519En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
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1 650En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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278En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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646En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
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710En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
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251En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds
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753En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
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280En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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1 270En existencias
150Se espera el 8/6/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR 600V 4A
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11 996En existencias
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SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR SCR 400V 70A
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319En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse SCR Sensing
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4 345En existencias
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Carrete: 2 500

SCRs SMD/SMT DO-214AB-2
Littelfuse SCR 6A 200uA 600V Sensing
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4 334En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR Sensing
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3 075En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

SCRs SMD/SMT DO-214AB-2