Infineon Automatic Opening Systems

Infineon Automatic Opening Systems incorporate smart sensors, motor controls, supplies and battery management to automate sliding, swing or garage doors, sun blinds, and gates. When automated, these doors manage opening actions, avoid unintentional opening, control speed and torque, detect objects along paths, as well as perform other functions.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Infineon Technologies Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
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Infineon Technologies Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
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Infineon Technologies Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
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Infineon Technologies Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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Infineon Technologies Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
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3 000En pedido
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Infineon Technologies Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
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Infineon Technologies Herramientas de desarrollo de interfaz OTHER ACEE
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108Se espera el 5/3/2026
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Infineon Technologies Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
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Infineon Technologies Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
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1 300En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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715En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
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1 751En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
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1 881En existencias
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