Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 216,48
11 904En existencias
9 200Se espera el 17/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4668PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4668PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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11 904En existencias

9 200Se espera el 17/6/2026

₡3 216,48

₡2 102,68

₡1 478,12

₡1 301,16

₡1 217,89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

200 V

130 A

9.7 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
1: ₡2 029,82
23 866En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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23 866En existencias

₡2 029,82

₡1 145,02

₡910,81

₡754,67

₡713,04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4127PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 102,68
2 519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4127PBFXKMA1

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726-IRFB4127PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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2 519En existencias

₡2 102,68

₡1 379,23

₡968,07

₡791,11

₡754,67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

200 V

76 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4768PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 096,77
586En existencias
800Se espera el 29/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4768PBFXKMA1

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726-IRFP4768PBFXKMA1

Infineon Technologies

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800Se espera el 29/6/2026

₡3 096,77

₡1 795,61

₡1 483,33

₡1 259,53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

93 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
1: ₡1 759,17
3 651En existencias
7 200Se espera el 1/4/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4227TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

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3 651En existencias

7 200Se espera el 1/4/2027

Cinta cortada

₡1 759,17

₡1 145,02

₡796,31

₡608,94

Envase tipo carrete

₡588,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

62 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 910,11
1 179En existencias
1 000Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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1 179En existencias

1 000Se espera el 12/11/2026

₡1 910,11

₡962,86

₡869,18

₡707,83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

250 V

46 A

46 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250MPBF
Infineon Technologies
1: ₡1 681,10
3 201En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250MPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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3 201En existencias

₡1 681,10

₡936,84

₡754,67

₡608,94

₡551,69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
1: ₡379,94
11 176En existencias
9 000Se espera el 29/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF5801TRPBF

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942-IRF5801TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

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11 176En existencias

9 000Se espera el 29/6/2026

Cinta cortada

₡379,94

₡234,21

₡150,41

₡113,98

Envase tipo carrete

₡87,44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

200 V

600 mA

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NPBF
Infineon Technologies
1: ₡994,09
10 884En existencias
34 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NPBF

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942-IRF640NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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10 884En existencias

34 000En pedido

₡994,09

₡474,14

₡410,65

₡328,93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
1: ₡1 025,32
13 113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NSTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF640NSTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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Cinta cortada

₡1 025,32

₡619,35

₡460,09

₡347,15

Envase tipo carrete

₡304,99

₡299,79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
1: ₡1 113,80
3 562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7820TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7820TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

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3 562En existencias

Cinta cortada

₡1 113,80

₡650,58

₡464,78

₡368,49

Ver

Envase tipo carrete

₡311,76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4 000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

200 V

3.7 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFB38N20DPBF
Infineon Technologies
1: ₡1 816,42
3 568En existencias
2 000Se espera el 29/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB38N20DPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB38N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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3 568En existencias

2 000Se espera el 29/6/2026

₡1 816,42

₡978,47

₡853,56

₡718,24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

IRFB4020PBF
Infineon Technologies
1: ₡1 066,95
4 421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4020PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB4020PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

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Hoja de datos

4 421En existencias

₡1 066,95

₡511,62

₡436,67

₡354,96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250NPBF
Infineon Technologies
1: ₡1 910,11
5 187En existencias
4 800Se espera el 29/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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Hoja de datos

5 187En existencias

4 800Se espera el 29/7/2026

₡1 910,11

₡1 238,71

₡973,27

₡837,95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260NPBF
Infineon Technologies
1: ₡2 779,29
2 988En existencias
2 400Se espera el 27/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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Hoja de datos

2 988En existencias

2 400Se espera el 27/8/2026

₡2 779,29

₡1 618,65

₡1 332,39

₡1 103,39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: ₡1 400,05
6 702En existencias
9 000Se espera el 27/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFR4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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Hoja de datos

6 702En existencias

9 000Se espera el 27/8/2026

Cinta cortada

₡1 400,05

₡905,61

₡619,35

₡495,48

₡455,41

Envase tipo carrete

₡428,34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
1: ₡2 113,09
1 431En existencias
8 000Se espera el 29/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4127TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4127TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

1 431En existencias

8 000Se espera el 29/6/2026

Cinta cortada

₡2 113,09

₡1 311,57

₡973,27

₡754,67

Envase tipo carrete

₡749,47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
1: ₡2 435,78
3 023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4229TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

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Hoja de datos

3 023En existencias

Cinta cortada

₡2 435,78

₡1 608,24

₡1 363,62

₡1 066,95

Envase tipo carrete

₡957,66

₡910,81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

48 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 509,35
1 324En existencias
5 000Se espera el 23/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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1 324En existencias

5 000Se espera el 23/7/2026

₡1 509,35

₡848,36

₡660,99

₡562,10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 524,26
515En existencias
400Se espera el 29/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

515En existencias

400Se espera el 29/6/2026

₡2 524,26

₡1 441,69

₡1 186,66

₡1 098,18

₡957,66

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 420,16
178En existencias
400Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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Hoja de datos

178En existencias

400Se espera el 17/12/2026

₡2 420,16

₡1 379,23

₡1 129,41

₡921,22

₡905,61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

44 A

46 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
1: ₡2 232,80
300En existencias
1 600Se espera el 2/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS38N20DTRLP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS38N20DTRLP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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Hoja de datos

300En existencias

1 600Se espera el 2/7/2026

Cinta cortada

₡2 232,80

₡1 431,28

₡1 072,16

₡848,36

Envase tipo carrete

₡848,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: ₡1 269,94
199En existencias
25 600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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199En existencias

25 600En pedido

Cinta cortada

₡1 269,94

₡817,13

₡556,90

₡479,35

Envase tipo carrete

₡374,74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

77.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

IRF630NPBF
Infineon Technologies
1: ₡936,84
1 740En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRF630NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF630NPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

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1 740En existencias

₡936,84

₡446,56

₡375,78

₡302,91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

9.3 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies
1 000: ₡512,66
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4620PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4620PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

₡512,66

₡499,65

₡493,92

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

200 V

25 A

72.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Tube

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

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