- 55 C Tube Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 15A, TO-220-2L FRED
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Vishay Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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Máx.: 480


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
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2 234En existencias
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Vishay Rectificadores y diodos Schottky Schottky - POWIRTAB
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298En existencias
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Vishay Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
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1 325En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
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7 203En existencias
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Máx.: 50

Vishay Semiconductors Rectificadores y diodos Schottky 45V 2 x 20A IF C.A. TO-220AB
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onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
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Texas Instruments Amplificadores de precisión Dual Precision A 595 -LT1013DIDR A 595-L A 595-LT1013DIDR
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19 550En existencias
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Texas Instruments Amplificadores de precisión Quad Precision Op Am p A 595-LT1014DDWR A 595-LT1014DDWR
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Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 6A
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15 889En existencias
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Vishay Semiconductors Rectificadores Freds - POWIRTAB
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41En existencias
375Se espera el 16/10/2026
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APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
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