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TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 325

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Paquete / Cubierta = TDSON-8

Fabricante

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

ISC019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 836,54
553En existencias
5 000Se espera el 31/5/2027
Nuevo producto

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ISC019N10NM8ATMA1

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726-ISC019N10NM8ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

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5 000Se espera el 31/5/2027

Cinta cortada

₡2 836,54

₡1 858,06

₡1 384,44

₡1 160,64

₡1 077,36

Envase tipo carrete

₡910,81

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

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3.2 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

ISC033N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 618,65
228En existencias
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Nuevo producto

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ISC033N10NM8ATMA1

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726-ISC033N10NM8ATMA

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

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Cinta cortada

₡1 618,65

₡1 051,34

₡728,65

₡608,94

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Envase tipo carrete

₡487,68

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.33 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 504,15
64 330En existencias

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BSC010N04LSATMA1

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726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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₡1 504,15

₡921,22

₡681,81

₡562,10

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Envase tipo carrete

₡496,00

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

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1.2 V

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139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 878,88
3 030En existencias

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ISC16DP15LMATMA1

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726-ISC16DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Cinta cortada

₡1 878,88

₡1 181,46

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Envase tipo carrete

₡640,17

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

P-Channel

1 Channel

150 V

22 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
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74 550En existencias

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BSC110N06NS3 G

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726-BSC110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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74 550En existencias

Cinta cortada

₡947,25

₡588,13

₡384,10

₡301,87

Envase tipo carrete

₡201,94

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

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- 20 V, 20 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
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19 898En existencias
NRND

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IPC100N04S51R2ATMA1

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726-IPC100N04S51R2AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Cinta cortada

₡1 306,37

₡739,06

₡572,51

₡507,97

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Envase tipo carrete

₡444,48

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

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- 20 V, 20 V

2.8 V

131 nC

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150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
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NRND

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BSC054N04NS G

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726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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121 241En existencias

Cinta cortada

₡785,90

₡482,99

₡318,00

₡249,82

Envase tipo carrete

₡167,07

Ver

MouseReel Disponible

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

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26 nC

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57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC072N04LDATMA1
Infineon Technologies
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24 183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC072N04LDATMA1

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726-BSC072N04LDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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24 183En existencias

Cinta cortada

₡962,86

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₡396,07

₡323,21

₡273,76

Envase tipo carrete

₡255,55

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

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- 16 V, 16 V

1.2 V

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- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
1: ₡707,83
9 554En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC150N03LDGATMA1

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726-BSC150N03LDGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

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9 554En existencias

Cinta cortada

₡707,83

₡443,96

₡293,02

₡227,96

₡189,45

Envase tipo carrete

₡167,07

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

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- 20 V, 20 V

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13.2 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPG20N06S4L14AATMA1
Infineon Technologies
1: ₡962,86
4 240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L14AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N06S4L14AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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4 240En existencias

Cinta cortada

₡962,86

₡650,58

₡480,91

₡410,65

Ver

Envase tipo carrete

₡342,47

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

13.7 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LS
Infineon Technologies
1: ₡1 592,62
26 174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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26 174En existencias

Cinta cortada

₡1 592,62

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₡707,83

₡572,51

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Envase tipo carrete

₡499,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1: ₡890,00
5 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

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5 000En existencias

Cinta cortada

₡890,00

₡551,69

₡361,20

₡284,17

Envase tipo carrete

₡194,65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L012ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 233,50
3 803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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3 803En existencias

Cinta cortada

₡1 233,50

₡733,86

₡518,38

₡428,34

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Envase tipo carrete

₡361,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

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- 16 V, 16 V

1.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 405,26
15 018En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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Hoja de datos

15 018En existencias

Cinta cortada

₡1 405,26

₡863,97

₡655,79

₡551,69

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Envase tipo carrete

₡488,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: ₡718,24
8 562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

8 562En existencias

Cinta cortada

₡718,24

₡437,71

₡295,10

₡233,17

Envase tipo carrete

₡174,36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
1: ₡687,01
9 134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032NE2LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

9 134En existencias

Cinta cortada

₡687,01

₡348,71

₡246,70

₡204,02

Ver

Envase tipo carrete

₡160,30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

84 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: ₡1 649,88
9 766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

Hoja de datos

9 766En existencias

Cinta cortada

₡1 649,88

₡1 072,16

₡739,06

₡619,35

Ver

Envase tipo carrete

₡536,08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

159 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

63.4 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: ₡1 748,76
3 510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

3 510En existencias

Cinta cortada

₡1 748,76

₡1 129,41

₡806,72

₡687,01

Envase tipo carrete

₡588,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 145,02
4 697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0500NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0500NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

4 697En existencias

Cinta cortada

₡1 145,02

₡713,04

₡493,92

₡392,43

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Envase tipo carrete

₡323,73

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC50N04S5L5R5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPC50N04S5L5R5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC50N04S5L5R5AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

15 635En existencias

Cinta cortada

₡754,67

₡397,64

₡290,94

₡240,98

Envase tipo carrete

₡172,27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

5.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
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BSC011N03LS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC018N04LS G
Infineon Technologies
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BSC018N04LS G

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

150 nC

- 55 C

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LS
Infineon Technologies
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BSC018NE2LS

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TDSON-8

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1 Channel

25 V

100 A

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- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
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9 909En existencias

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BSC0906NS

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726-BSC0906NS

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TDSON-8

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30 V

63 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
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BSC155N06NDATMA1

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726-BSC155N06NDATMA1

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TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

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50 W

Enhancement

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TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Soporte

7 A
10.9 A
11 A
11.3 A
15.2 A
16 A
19.6 A
20 A
21 A
22 A
23 A
24 A
25 A
28 A
29 A
31 A
32 A
33 A
36 A
39 A

500 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
910 uOhms
950 uOhms
960 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.12 mOhms
1.13 mOhms
1.15 mOhms

1 V
1.1 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V
3 V
3.1 V
3.15 V
3.2 V

5.6 nC
7 nC
7.4 nC
7.6 nC
8.6 nC
8.7 nC
9 nC
9.1 nC
9.4 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
11 nC
11.1 nC
11.6 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.2 nC
13.4 nC

2.5 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
33 W
34 W
35 W
36 W
37 W
38 W
41 W
42 W
43 W
46 W
48 W
50 W
51 W
52 W