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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
IMY120R036AM2HXKSA1
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₡5 647,05
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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₡7 437,45
100
₡6 282,02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA40R015M2HXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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100
₡4 876,76
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₡4 174,13
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₡3 851,44
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
IMZC140R019M2HXKSA1
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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₡10 456,15
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
IMZC140R038M2HXKSA1
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₡6 870,14
305 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IMZC140R038M2HXK
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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₡6 870,14
10
₡4 512,44
100
₡3 851,44
480
₡3 357,00
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₡3 034,31
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MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
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₡6 818,10
10
₡4 746,64
100
₡3 773,37
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₡3 575,60
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263
IXSA20N120L2-7TR
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747-IXSA20N120L2-7TR
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263
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₡4 064,83
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₡2 753,26
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₡2 009,00
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₡1 832,04
800
₡1 832,04
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
IXSA40N65L2-7TR
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747-IXSA40N65L2-7TR
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
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₡4 642,55
10
₡3 169,63
100
₡2 331,68
500
₡2 185,95
800
₡2 185,95
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
IXSA60N65L2-7TR
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747-IXSA60N65L2-7TR
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
900 En existencias
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₡5 621,03
10
₡3 872,26
100
₡2 971,86
500
₡2 810,51
800
₡2 810,51
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MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
IXSG110N65L2K
IXYS
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MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
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₡6 818,10
10
₡4 746,64
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₡3 773,37
1 000
₡3 575,60
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₡3 575,60
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