Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
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Módulos MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
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Módulos MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
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801 Se espera el 3/7/2026
460 Se espera el 31/8/2026
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Módulos MOSFET 32 Amps 1200V
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Módulos MOSFET 32 Amps 1200V
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MOSFET Modules
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SOT-227-4
Módulos MOSFET 360 Amps 100V
IXFN360N10T
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Módulos MOSFET 360 Amps 100V
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445 Se espera el 4/8/2026
320 Se espera el 1/9/2026
620 Se espera el 7/9/2026
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23 Semanas
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SOT-227-4
Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN360N15T2
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598 Se espera el 7/9/2026
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Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
598 Se espera el 7/9/2026
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN520N075T2
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₡20 833,60
562 En pedido
N.º de artículo de Mouser
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Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
562 En pedido
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262 Se espera el 4/8/2026
300 Se espera el 18/8/2026
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₡20 833,60
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MOSFET Modules
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Screw Mount
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Módulos MOSFET DIODE Id54 BVdass800
IXFN60N80P
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610 En pedido
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Módulos MOSFET DIODE Id54 BVdass800
610 En pedido
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300 Se espera el 31/8/2026
310 Se espera el 14/10/2026
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27 Semanas
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₡29 562,60
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₡22 051,60
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SOT-227-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
IXFT170N25X3HV
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1 750 Se espera el 24/8/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
1 750 Se espera el 24/8/2026
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D3PAK-3 (TO-268-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
IXFT320N10T2
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1:
₡12 284,40
2 088 Se espera el 25/3/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
2 088 Se espera el 25/3/2026
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₡7 760,40
120
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
IXFA72N30X3
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1:
₡6 182,80
1 190 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXFA72N30X3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
1 190 En pedido
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640 Se espera el 1/5/2026
550 Se espera el 31/8/2026
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27 Semanas
1
₡6 182,80
10
₡3 520,60
100
₡3 248,00
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
IXFB100N50P
IXYS
1:
₡18 310,60
617 Se espera el 24/4/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFB100N50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
617 Se espera el 24/4/2026
1
₡18 310,60
10
₡15 619,40
100
₡13 653,20
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MOSFETs
Si
Through Hole
PLUS-264-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
IXFB110N60P3
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1:
₡14 807,40
292 Se espera el 9/11/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFB110N60P3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
292 Se espera el 9/11/2026
1
₡14 807,40
10
₡9 691,80
100
₡9 686,00
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
PLUS-264-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
+1 imagen
IXFH110N10P
IXYS
1:
₡5 133,00
2 948 Se espera el 10/4/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH110N10P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
2 948 Se espera el 10/4/2026
1
₡5 133,00
10
₡3 410,40
120
₡2 737,60
510
₡2 586,80
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 26A
+1 imagen
IXFH26N60P
IXYS
1:
₡5 800,00
600 Se espera el 30/6/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 26A
600 Se espera el 30/6/2026
1
₡5 800,00
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₡3 485,80
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₡2 958,00
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₡2 720,20
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
+1 imagen
IXFH42N60P3
IXYS
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₡6 815,00
300 Se espera el 19/3/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH42N60P3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
300 Se espera el 19/3/2026
1
₡6 815,00
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₡4 529,80
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₡3 868,60
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3