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HyperFET Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Módulos MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds

IXFE80N50
IXYS
10: ₡21 442,60
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFE80N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFE80N50

NRND

IXYS

Módulos MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡21 442,60

₡19 000,80

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

MOSFET Modules

Screw Mount

ISOPLUS227-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

IXFG55N50
IXYS
25: ₡11 814,60
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFG55N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFG55N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡11 814,60

₡10 434,20

Presupuesto

Min.: 25
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

IXFH10N100
IXYS
1: ₡8 926,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

Hoja de datos

No en existencias

₡8 926,20

₡6 907,80

₡5 968,20

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

IXFH11N80
IXYS
30: ₡5 736,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH11N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH11N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

Hoja de datos

No en existencias

₡5 736,20

₡4 779,20

₡4 257,20

₡3 973,00

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

IXFH12N100
IXYS
300: ₡6 612,00
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

Hoja de datos

No en existencias

₡6 612,00

Presupuesto

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

IXFH12N120
IXYS
30: ₡8 346,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N120

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡8 346,20

₡7 215,20

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

IXFH12N90
IXYS
60: ₡7 273,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

Hoja de datos

No en existencias

₡7 273,20

₡6 287,20

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

IXFH13N100
IXYS
30: ₡7 835,80
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡7 835,80

₡6 774,40

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

IXFH13N80
IXYS
300: ₡4 709,60
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

Hoja de datos

No en existencias

₡4 709,60

₡4 460,20

₡4 164,40

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

IXFH13N80Q
IXYS
30: ₡5 452,00
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡5 452,00

₡4 709,60

₡4 460,20

₡4 164,40

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

IXFH13N90
IXYS
30: ₡6 287,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡6 287,20

₡5 434,60

₡5 144,60

₡4 802,40

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

IXFH14N80
IXYS
30: ₡6 409,00
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH14N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡6 409,00

₡5 533,20

₡5 243,20

₡4 895,20

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

IXFH15N60
IXYS
30: ₡4 054,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

Hoja de datos

No en existencias

₡4 054,20

₡4 048,40

₡3 973,00

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80
IXYS
30: ₡5 759,40
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

₡5 759,40

₡4 796,60

₡3 990,40

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

IXFH20N60
IXYS
300: ₡7 963,40
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

Hoja de datos

No en existencias

₡7 963,40

Presupuesto

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

IXFH21N50
IXYS
90: ₡4 123,80
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH21N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH21N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

Hoja de datos

No en existencias

₡4 123,80

₡3 433,60

₡3 056,60

₡2 853,60

Min.: 90
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A

IXFH24N50
IXYS
300: ₡3 891,80
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH24N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH24N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A

Hoja de datos

No en existencias

₡3 891,80

₡3 236,40

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500

IXFH26N50
IXYS
300: ₡3 619,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500

Hoja de datos

No en existencias

₡3 619,20

₡3 404,60

₡3 207,40

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds

IXFH30N40Q
IXYS
30: ₡4 553,00
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N40Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N40Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡4 553,00

₡3 793,20

₡3 375,60

₡3 155,20

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds

IXFH30N60Q
IXYS
30: ₡5 968,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N60Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N60Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡5 968,20

₡4 964,80

₡4 425,40

₡4 129,60

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

IXFH36N55Q
IXYS
30: ₡6 635,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N55Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡6 635,20

₡5 730,40

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

IXFH36N55Q2
IXYS
30: ₡8 404,20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N55Q2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q2

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡8 404,20

₡7 261,60

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

IXFH40N30
IXYS
300: ₡11 257,80
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH40N30

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH40N30

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

₡11 257,80

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

IXFH42N20
IXYS
300: ₡4 947,40
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH42N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH42N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

Hoja de datos

No en existencias

₡4 947,40

₡4 680,60

₡4 373,20

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

IXFH50N20
IXYS
300: ₡7 963,40
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH50N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

Hoja de datos

No en existencias

₡7 963,40

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

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