PSRAM (Pseudo SRAM) Semiconductores

Tipos de Semiconductores

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 82
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR 508En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC) 279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24 200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR 9 964En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10 000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, USON8 2 903En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10 000

ISSI Tamaño de memoria RAM (SRAM) Pseudo Tamaño de memoria RAM (SRAM) 64Mb 1 954En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 127

Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT 462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 394En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI Tamaño de memoria RAM (SRAM) 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2 374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5
Carrete: 2 500
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 37

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed 8 710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1 887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 817En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 353

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed 3 668En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 170En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 13

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 24

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 15

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed 354En existencias
2 880Se espera el 20/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 501En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 431En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 79En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

ISSI Tamaño de memoria RAM (SRAM) Pseudo Tamaño de memoria RAM (SRAM), 64Mb 4Mb x16bits, CLL 240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 36

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
4 975Se espera el 28/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
1 729Se espera el 20/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1