Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SISHA18ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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78-SISHA18ADN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
11 705 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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SQ4850CEY-T1_GE3
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78-SQ4850CEY-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
6 569 En existencias
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Mezclador de RF DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
SYM-12+
Mini-Circuits
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SYM-12+
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139-SYM-12
Mini-Circuits
Mezclador de RF DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
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Amplificador de RF Low-power 50 ohm MMIC gain block 6-18 GHz Positive Gain-Slope Amplifier +1dB
CMX90G701QF-R705
CML Micro
1:
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226-CMX90G701QF-R705
CML Micro
Amplificador de RF Low-power 50 ohm MMIC gain block 6-18 GHz Positive Gain-Slope Amplifier +1dB
323 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
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511-SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
173 En existencias
1
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₡5 532,55
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₡5 506,52
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
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9 415 En existencias
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511-STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
9 415 En existencias
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₡151,98
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST8H100SFY
STMicroelectronics
1:
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5 567 En existencias
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511-STPST8H100SFY
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
5 567 En existencias
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2 500
₡184,24
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₡148,85
24 000
₡142,09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1:
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489 En existencias
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511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
489 En existencias
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120
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510
₡4 944,42
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1:
₡5 449,27
576 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
576 En existencias
1
₡5 449,27
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510
₡2 722,03
1 020
₡2 581,51
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
1:
₡2 784,49
1 974 En existencias
N.º de artículo de Mouser
603-XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
1 974 En existencias
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₡2 784,49
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₡1 171,05
4 000
₡1 046,14
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Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
360°
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DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Infineon Technologies
1:
₡48 580,24
21 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-DF8MR12W1M1HFB67
Infineon Technologies
Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
21 En existencias
1
₡48 580,24
10
₡39 534,55
120
₡39 529,35
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IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
IKY150N65EH7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 939,92
318 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IKY150N65EH7XKSA
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
318 En existencias
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480
₡2 326,48
1 200
₡2 305,66
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 972,56
4 330 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
4 330 En existencias
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₡1 972,56
10
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₡754,67
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₡624,56
1 000
₡744,27
2 500
₡723,45
6 000
₡624,56
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6 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 66A N-CH MOSFET
R6022YNXC7G
ROHM Semiconductor
1:
₡2 633,55
984 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-R6022YNXC7G
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 66A N-CH MOSFET
984 En existencias
1
₡2 633,55
10
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₡1 249,12
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₡1 197,07
1 000
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1 000
₡1 171,05
2 000
₡1 155,43
5 000
₡1 150,23
25 000
Presupuesto
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
R6077VNZC17
ROHM Semiconductor
1:
₡6 953,42
700 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZC17
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
700 En existencias
1
₡6 953,42
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600
₡4 314,66
1 200
₡4 085,65
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 150V 10A SM SKY BARRI
RB088RSM15STFTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡1 311,57
2 915 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RB088RSM15STFTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 150V 10A SM SKY BARRI
2 915 En existencias
1
₡1 311,57
10
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₡551,69
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₡466,34
4 000
₡391,91
8 000
Ver
1 000
₡428,86
2 000
₡415,85
8 000
₡387,75
24 000
Presupuesto
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Mult.: 1
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4 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
RD3L07BBGTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡2 019,41
4 487 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RD3L07BBGTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
4 487 En existencias
1
₡2 019,41
10
₡1 321,98
100
₡926,43
500
₡759,88
2 500
₡713,04
5 000
₡707,83
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Mult.: 1
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2 500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 5A SM SKY BARRI
RSX078BGE2STL
ROHM Semiconductor
1:
₡1 004,50
4 850 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RSX078BGE2STL
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 5A SM SKY BARRI
4 850 En existencias
1
₡1 004,50
10
₡562,10
100
₡413,77
500
₡340,90
1 000
₡311,76
2 500
₡284,17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
+1 imagen
SSM6J808R,LF
Toshiba
1:
₡504,85
24 397 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
24 397 En existencias
1
₡504,85
10
₡314,88
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₡204,54
500
₡157,18
3 000
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Ver
1 000
₡142,09
6 000
₡112,42
9 000
₡100,45
24 000
₡96,29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100V100ELPE/SOT1289B/CFP15
PMEG100V100ELPEZ
Nexperia
1:
₡494,44
14 749 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-PMEG100V100ELPEZ
Nexperia
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100V100ELPE/SOT1289B/CFP15
14 749 En existencias
1
₡494,44
10
₡307,60
100
₡199,86
500
₡153,02
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Ver
1 000
₡125,43
10 000
₡98,89
25 000
₡93,68
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS
PSMNR56-25YLEX
Nexperia
1:
₡2 139,11
1 853 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR56-25YLEX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS
1 853 En existencias
1
₡2 139,11
10
₡1 405,26
100
₡1 046,14
500
₡879,59
1 500
₡837,95
3 000
Ver
1 000
₡837,95
3 000
₡765,08
9 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
PSMNR98-25YLEX
Nexperia
1:
₡1 472,92
1 974 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR98-25YLEX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
1 974 En existencias
1
₡1 472,92
10
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₡655,79
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Ver
1 000
₡515,26
3 000
₡481,43
9 000
₡479,87
24 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 500
Detalles
Controladores de puertas HV H-Bridge driver
L6385ED
STMicroelectronics
1:
₡1 582,21
12 019 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
L6385ED
N.º de artículo de Mouser
511-L6385ED
STMicroelectronics
Controladores de puertas HV H-Bridge driver
12 019 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 582,21
10
₡1 186,66
25
₡1 087,77
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Ver
250
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₡890,00
1 000
₡863,97
2 000
₡765,08
4 000
₡759,88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
₡8 098,44
1 538 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1 538 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡8 098,44
10
₡5 730,32
100
₡5 303,54
400
₡5 298,34
1 200
Ver
1 200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas DBL CH hi side drive
VND5E160AJTR-E
STMicroelectronics
1:
₡1 186,66
30 883 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-VND5E160AJTR-E
STMicroelectronics
Controladores de puertas DBL CH hi side drive
30 883 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 186,66
10
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25
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100
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5 000
Ver
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₡655,79
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₡640,17
5 000
₡551,69
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles