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MCB2D8N04YHQ-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCB2D8N04YHQ-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCB2D8N04YHQ-TP
Price: 2296.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MCB2D8N04YHQ-TP

Fabricante N.º:

MCB2D8N04YHQ-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK

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	₡2 296,80	₡2 296,80
	₡1 513,80	₡15 138,00
	₡1 061,40	₡106 140,00
	₡951,20	₡475 600,00
	₡887,40	₡887 400,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1600)
	₡887,40	₡1 419 840,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	164 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	209 ns
Serie:	MCB2D8N04YHQ
Cantidad de empaque de fábrica:	1600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Split Gate Trench MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns

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MCB2D8N04YHQ-TP Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MCB2D & MCU2D 40V N-channel MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) MCB2D and MCU2D 40V N-channel MOSFETs leverage Split-Gate Trench (SGT) technology and full AEC-Q101 qualification in compact packages. These MOSFETs feature a high-density cell design with 2.8mΩ low on-resistance, ensuring efficient power management in a diverse range of automotive systems. The MCB2D and MCU2D MOSFETs come in DPAK and D²PAK high-power density packages for a seamless upgrade path with minimal changes for integration into current designs. In addition to outstanding performance in harsh conditions, these components can operate at junction temperatures of up to 175°C. The MCB2D and MCU2D MOSFETs are designed to deliver exceptional reliability for demanding automotive applications. Other typical applications include battery management systems and electric water pumps.