Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Paquete / Cubierta

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2 616En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2 989En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT VSON-4
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1 980En existencias
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: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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847En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1 578En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT VSON-4
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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2 153En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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10 750En existencias
1 000Se espera el 21/9/2026
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: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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4 305En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
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24 401En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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13 522En existencias
30 000En pedido
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
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27 853En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
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18 539En existencias
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: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1 467En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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428En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
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2 612En existencias
7 000En pedido
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: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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1 088En existencias
10 000En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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985En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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577En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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681En existencias
720Se espera el 12/11/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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717En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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323En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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1 500En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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134En existencias
240Se espera el 10/9/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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768En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2