Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Discrete Thermostat Solution

Toshiba Discrete Thermostat Solution provides improved reliability and performance in a smaller footprint. The accelerating demand for energy-efficient solutions and a surge in the number of smart home devices will encourage significant growth for smart thermostats. Efficient energy savings, smart controlling, and reduction in per unit energy cost are some underlining parameters that will guide the industry moving forward. It’s essential to reduce power consumption and space requirements and improve operating life to increase the functionality and performance of these devices. Toshiba offers products that meet these critical requirements with the current LDO technologies and photo relays, which have garnered much success in thermostats and other similar designs.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

SSM3K36MFV,L3F
Toshiba
1: ₡184,33
129 783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

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Cinta cortada

₡184,33

₡112,22

₡70,48

₡52,05

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₡28,19

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 8 000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

1.23 nC

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: ₡298,18
98 871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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Cinta cortada

₡298,18

₡183,24

₡117,64

₡88,91

Envase tipo carrete

₡59,09

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K513NU,LF
Toshiba
1: ₡384,92
12 033En existencias
18 000Se espera el 30/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K513NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K513NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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18 000Se espera el 30/3/2026

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₡384,92

₡239,62

₡153,97

₡117,10

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₡82,95

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Carrete: 3 000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V

SSM3J35AMFV,L3F
Toshiba
1: ₡113,85
19 020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J35AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J35AMFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V

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₡69,39

₡43,37

₡31,99

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Mult.: 1

Carrete: 8 000

SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

SSM3J56ACT,L3F
Toshiba
1: ₡222,28
19 906En existencias

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SSM3J56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

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₡86,20

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Envase tipo carrete

₡35,78

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10 000

SMD/SMT

CST3-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

4 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

TK18A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡2 358,30
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK18A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK18A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

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₡2 358,30

₡1 214,39

₡1 068,01

₡981,27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18 A

270 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

SSM6J501NU,LF
Toshiba
1: ₡330,70
26 403Se espera el 10/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J501NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J501NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

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26 403Se espera el 10/4/2026

Cinta cortada

₡330,70

₡205,47

₡131,74

₡99,75

Envase tipo carrete

₡73,19

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Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

20 V

10 A

15.3 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

29.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
1: ₡206,01
140 000Se espera el 4/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

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140 000Se espera el 4/5/2026

Cinta cortada

₡206,01

₡127,94

₡80,78

₡60,18

Envase tipo carrete

₡33,07

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Mult.: 1

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SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

840 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K514NU,LF
Toshiba
1: ₡390,34
5 994Se espera el 27/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K514NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K514NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 994Se espera el 27/3/2026

Cinta cortada

₡390,34

₡240,17

₡157,76

₡119,81

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₡89,45

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SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Discrete Thermostat Solution

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