Dual Common Source Módulos IGBT

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Tecnología
Empaquetado
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL1
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi Módulos IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Hoja de datos
72Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 36
Mult.: 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Si Tray
Microchip Technology APTGT100DU170TG
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 8
Mult.: 1

IGBT Modules Dual Common Source 1.7 kV 2 V 150 A 400 nA 560 W SP4 - 40 C + 100 C Screw Mount Si Tube
Microchip Technology APTGT200DU120G
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SP6C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5
Mult.: 1

IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 1.7 V 280 A 500 nA 890 W SP6 - 40 C + 100 C Screw Mount Si Tube