Dual Common Source Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado


onsemi Módulos MOSFET PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 900 V 149 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V 4.3 V - 40 C + 150 C 352 W NXH020U90MNF2 Tray
Microchip Technology Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount BL3 N-Channel 1.2 kV 150 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 560 W
Microchip Technology Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL1
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 7
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 310 W