Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
32En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Hoja de datos
47En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Hoja de datos
176En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair
Hoja de datos
50Se espera el 26/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 40 mA, 16 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Hoja de datos
34Se espera el 4/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY
Hoja de datos
50Se espera el 4/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Si SMD/SMT N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 3 V - 40 C + 85 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
Hoja de datos
150Se espera el 12/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 1.92 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.28 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Hoja de datos
Plazo de entrega 3 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube