Vishay IRFR/U Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp
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22 275En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET
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7 242En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 200 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp
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5 778En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 1.4 Amp
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2 742En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 1.4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 9.9A
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3 343En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 50 V 9.9 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 3.3 Amp
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4 409En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 8.8 Amp
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5 523En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 2.6A N-CH MOSFET
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28 776En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 2.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A
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13 137En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 2.4 Amp
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12 693En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 2.0 Amp
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4 740En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 5.3A
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5 254En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 50 V 5.3 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
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8 911En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 1.4A N-CH MOSFET
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11 143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 1.4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 2.6A N-CH MOSFET
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3 553En existencias
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Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 2.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 200V 3.6 Amp
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2 227En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 7.7A
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7 707En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 5A N-CH MOSFET
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2 045En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 50V 5.3 Amp
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4 709En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 50 V 5.3 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 250V 2.7 Amp
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2 702En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 250 V 2.7 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 14 Amp
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2 715En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
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19 673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 8.8 Amp
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2 243En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 50 V 9.9 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 9.9A
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2 658En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 50 V 9.9 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 14A
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15 974En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape