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Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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SD5400CY-SOIC-14L-CT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection

SST211-SOT-143-4L-CT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection

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SST210-SOT-143-4L-TR

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₡1 502

Min.: 3 000
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50 mA

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection

SST211-SOT-143-4L-TR
Linear Integrated Systems
3 000: ₡1 404
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SST211-SOT-143-4L-TR

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Linear Integrated Systems
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SST213-SOT-143-4L-TR

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₡1 276

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch

SST214-SOT-143-4L-TR
Linear Integrated Systems
3 000: ₡1 404
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SST214-SOT-143-4L-TR

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SST215-SOT-143-4L-TR

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