Toshiba MOSVII Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22
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5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 12 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
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19En existencias
800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 7.5 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
Hoja de datos
244En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 8 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
Hoja de datos
337En existencias
250Se espera el 16/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 16 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
Hoja de datos
233En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 840 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86
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200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 8.5 A 860 mOhms 40 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37
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150Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 370 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
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149En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.5 A 760 mOhms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 200

Si Through Hole PW-Mold2-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 10 A 720 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 600 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 520 mOhms 25 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 12 A 520 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 12 A 580 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 12 A 570 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 13 A 460 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 400 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13.5 A 480 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 250 mOhms 102 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 14 A 370 mOhms 50 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 16 A 330 mOhms 50 W MOSVII
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.5A 550V 30W 380pF 2.45 Ohm
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 4 A 2.45 Ohms 30 W MOSVII
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 550V 35W 490pF 1.88
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 4 A 1.88 Ohms 35 W MOSVII
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.9 Ohms 35 W MOSVII