Vishay IRFBC Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp
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Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 3.6 Amp
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 2.2A N-CH
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 3.6A N-CH
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
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Si Through Hole TO-262-3 Tube