Vishay IRFZ Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
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1 390En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 17A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 17A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp
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949En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 50V 15A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
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2 000Se espera el 26/2/2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 20 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp
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MouseReel Disponible
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V Power MOSFET
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825En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
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222En existencias
4 000Se espera el 16/2/2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
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4En existencias
1 000Se espera el 26/2/2026
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 50V 15A
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1 177En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 60V
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp
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1 000Se espera el 10/3/2026
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V
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Si
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 17A 60W
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Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 60V
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 50A
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Min.: 800
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Carrete: 800

Si Reel