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MOSFETs de SiC

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Resultados: 59

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Fabricante = Valores múltiples

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡39 966,54
33En existencias
61En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCTHC250N120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTHC250N120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

Hoja de datos

33En existencias

61En pedido

₡39 966,54

₡31 680,73

₡27 032,97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

STPAK-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

8.5 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: ₡9 472,47
2 309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTL35N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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2 309En existencias

Cinta cortada

₡9 472,47

₡6 724,41

₡5 850,03

₡5 537,75

Envase tipo carrete

₡5 537,75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡11 512,69
7En existencias
600Se espera el 2/4/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT019HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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7En existencias

600Se espera el 2/4/2027

Cinta cortada

₡11 512,69

₡8 395,11

₡7 015,87

Envase tipo carrete

₡6 667,16

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡11 845,79
11En existencias
1 200En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT020HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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11En existencias

1 200En pedido

Cinta cortada

₡11 845,79

₡8 847,91

₡7 468,68

Envase tipo carrete

₡6 766,05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡11 554,33
630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT012W90G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

630En existencias

₡11 554,33

₡7 281,31

₡6 162,31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡13 906,84
557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT015W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

557En existencias

₡13 906,84

₡11 132,75

₡9 628,61

₡9 113,35

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡9 722,29
448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT018W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Hoja de datos

448En existencias

₡9 722,29

₡7 401,02

₡6 167,51

₡5 496,11

₡5 136,99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡10 529,02
311En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT020W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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311En existencias

600En pedido

₡10 529,02

₡6 583,89

₡6 261,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡9 862,82
298En existencias
600Se espera el 21/5/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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298En existencias

600Se espera el 21/5/2027

₡9 862,82

₡6 136,29

₡5 756,35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 083,53
677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT027H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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677En existencias

Cinta cortada

₡7 083,53

₡4 944,42

₡4 017,99

Envase tipo carrete

₡3 752,56

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡8 618,91
246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT027W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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Hoja de datos

246En existencias

₡8 618,91

₡6 578,68

₡4 569,69

₡3 887,88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 229,26
342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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Hoja de datos

342En existencias

₡7 229,26

₡5 079,74

₡3 877,47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ₡6 006,17
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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487En existencias

₡6 006,17

₡3 606,83

₡3 055,13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡6 984,65
481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

481En existencias

₡6 984,65

₡5 058,92

₡4 330,27

₡3 731,74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ₡4 762,26
1 414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT055TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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1 414En existencias

Cinta cortada

₡4 762,26

₡3 252,91

₡2 685,60

₡2 440,98

₡2 232,80

Envase tipo carrete

₡2 232,80

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: ₡11 455,44
11En existencias
1 000Se espera el 26/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT012H90G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

11En existencias

1 000Se espera el 26/3/2027

Cinta cortada

₡11 455,44

₡8 218,15

₡7 463,47

₡7 458,27

Envase tipo carrete

₡6 969,03

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₡8 624,11
22En existencias
1 000Se espera el 12/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

22En existencias

1 000Se espera el 12/2/2027

Cinta cortada

₡8 624,11

₡6 084,24

₡5 183,84

Envase tipo carrete

₡4 840,33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡10 981,82
13En existencias
1 200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

13En existencias

1 200En pedido

₡10 981,82

₡7 577,98

₡6 916,99

₡6 360,09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ₡7 093,94
21En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT040HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

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Hoja de datos

21En existencias

600En pedido

Cinta cortada

₡7 093,94

₡4 949,63

₡4 023,20

Envase tipo carrete

₡3 757,76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡7 322,95
252En existencias
600Se espera el 5/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

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Hoja de datos

252En existencias

600Se espera el 5/3/2027

₡7 322,95

₡5 121,38

₡3 877,47

₡3 424,66

₡3 419,46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₡7 853,82
20En existencias
1 200Se espera el 29/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

20En existencias

1 200Se espera el 29/1/2027

₡7 853,82

₡5 891,67

₡4 580,10

₡4 044,02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₡6 302,84
766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Hoja de datos

766En existencias

Cinta cortada

₡6 302,84

₡4 371,91

₡3 450,69

Envase tipo carrete

₡3 263,32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: ₡4 949,63
459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT1000N170

N.º de artículo de Mouser
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

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Hoja de datos

459En existencias

₡4 949,63

₡3 383,03

₡2 815,72

₡2 092,27

₡2 045,43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6 A

1 Ohms

- 10 V, + 25 V

2.1 V

14 nC

- 55 C

+ 200 C

120 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: ₡8 905,16
338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT20N120AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

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Hoja de datos

338En existencias

₡8 905,16

₡6 313,25

₡4 699,80

₡4 215,77

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: ₡16 238,52
1 301En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTL90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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Hoja de datos

1 301En existencias

Cinta cortada

₡16 238,52

₡11 892,63

₡11 611,58

₡11 606,38

₡10 997,43

Envase tipo carrete

₡10 997,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

MOSFETs de SiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.5 mOhms
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
87 mOhms
100 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
73 nC
76 nC
77 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W
398 W