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MB85RS1MTPW-G-APEWE1

Name: RAMXEED MB85RS1MTPW-G-APEWE1
Brand: RAMXEED
SKU: 249-85RS1MTPWGAPEWE1
Price: 5595 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

249-85RS1MTPWGAPEWE1

Fabricante N.º:

MB85RS1MTPW-G-APEWE1

Fabricante:

RAMXEED

Descripción:

F-RAM 1Mbit FeRAM with SPI serial interface - WL-CSP 8 T&R

Hoja de datos:

MB85RS1MTPW-G-APEWE1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En pedido:: 2 262

Se espera el 12/6/2026

1 500

Se espera el 20/8/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 21

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡5 595,00	₡5 595,00
	₡5 199,45	₡51 994,50
	₡5 043,31	₡126 082,75
	₡4 923,60	₡246 180,00
	₡4 803,90	₡480 390,00
	₡4 647,76	₡1 161 940,00
	₡4 528,05	₡2 264 025,00
	₡4 345,89	₡4 345 890,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡4 340,68	₡6 511 020,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	RAMXEED
Categoría de producto:	F-RAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	1 Mbit
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	25 MHz, 30 MHz
Organización:	128 k x 8
Paquete / Cubierta:	WLP-8
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.8 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	RAMXEED
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Hoja de datos

MB85RS1MTPW-G-APEWE1 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542329090
USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

Wide Voltage Range SPI FeRAMs

RAMXEED Wide Voltage Range SPI FeRAMs supports high memory capacity of up to 4Mbit. These FeRAMs operate from a 1.7V to 3.6V voltage range, enabling operation over a wide range of voltages. The wide voltage range FeRAMs use the Serial Peripheral Interface (SPI) and offer exceptional endurance, with up to 10^¹⁴ read/write cycles. These FeRAMs feature up to 40MHz operating frequency and high data retention. The wide voltage range FeRAMs are available in multiple packages such as SOP‑8, DFN‑8, SON‑8, and WL‑CSP.