AS3008316-035nX0PTBY

Name: Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-38316035NX0PTBY
Price: 18427 CRC
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

793-38316035NX0PTBY

Fabricante N.º:

AS3008316-035nX0PTBY

Fabricante:

Avalanche Technology

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

Hoja de datos:

AS3008316-035nX0PTBY Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: Solicitar cotización de entrega

Introducir cantidad:

Mínimo: 1056 Múltiples: 96

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡18 427	₡19 458 912
2 592	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Avalanche Technology
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TSOP-54
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	8 Mbit
Organización:	512 k x 16
Ancho de bus de datos:	16 bit
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	12 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Serie:	AS3008316
Empaquetado:	Tray
Marca:	Avalanche Technology
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	96
Nombre comercial:	STT-MRAM, MRAM

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

AS3008316-035nX0PTBY Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.