Depletion Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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20 317En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA
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21 506En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
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3 646En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92
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3 475En existencias
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: 2 000

MOSFETs Si Through Hole TO-92-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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786En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
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3 648En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL
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679En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
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62 978En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm
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26 154En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds
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3 265En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
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1 703En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Depletion Mode FET
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3 585En existencias
4 000Se espera el 15/2/2027
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: 4 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92
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1 789En existencias
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: 2 000

MOSFETs Si Through Hole TO-92-3 N-Channel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
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1 796En existencias
Min.: 1
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: 2 000

MOSFETs Si Through Hole TO-92-3 N-Channel
Central Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
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17En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V N-Channel Depletion-Mode FET
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1 631En existencias
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: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch
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4En existencias
50Se espera el 25/9/2026
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8 N-Channel
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY
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13En existencias
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: 50

MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
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25En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
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17En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH DEP MOSFET 800V 45 Oh SOT-223-2L TR
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980En existencias
18 000En pedido
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-2 N-Channel

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 450V 60Ohm
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41 110En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel
Central Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
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30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistores digitales PNP, SOT-723, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
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7 975En existencias
Min.: 1
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: 8 000
Digital Transistors SMD/SMT SOT-723-3 PNP

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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41 424En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 000
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel