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Single SiC Semiconductores

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE IDWD25G200C5XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡11 517,90 121En existencias 240Se espera el 30/11/2026 Nuevo en Mouser	N.º de artículo del Fabricante IDWD25G200C5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IDWD25G200C5XKSA Nuevo en Mouser	Infineon Technologies	Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE	Hoja de datos	121En existencias 240Se espera el 30/11/2026	₡11 517,90 ₡7 734,12 ₡6 578,68	Min.: 1 Mult.: 1
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268 MSC017SMA120S Microchip Technology 1: ₡24 789,77 160En existencias	N.º de artículo del Fabricante MSC017SMA120S N.º de artículo de Mouser 579-MSC017SMA120S	Microchip Technology	Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268 Obtenga más información sobre Microchip Technology microchip msc017sma120x mosfets	Hoja de datos	160En existencias	₡24 789,77 ₡21 958,44 ₡21 656,57 ₡20 787,39 Ver ₡19 522,66 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK IJCQ120RM61J1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₡17 648,98 66En existencias 750En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IJCQ120RM61J1XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IJCQ120RM61J1XTM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor de unión de efecto de campo (JFET) CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic jfet	Hoja de datos	66En existencias 750En pedido	Cinta cortada ₡17 648,98 ₡14 401,28 ₡12 725,38 ₡12 038,36 Envase tipo carrete ₡11 549,13 Ver Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 750
GaN FETs RedesignofQPD1004 QPD1004ASR Qorvo 1: ₡69 284,35 18En existencias 100Se espera el 2/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante QPD1004ASR N.º de artículo de Mouser 772-QPD1004ASR Nuevo producto	Qorvo	GaN FETs RedesignofQPD1004 Obtenga más información sobre Qorvo qpd1004a transistors	Hoja de datos	18En existencias 100Se espera el 2/11/2026	Cinta cortada ₡69 284,35 Envase tipo carrete ₡69 284,35	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 25 : 100
GaN FETs RedesignofQPD1011 QPD1011ASR Qorvo 1: ₡33 929,14 45En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante QPD1011ASR N.º de artículo de Mouser 772-QPD1011ASR Nuevo producto	Qorvo	GaN FETs RedesignofQPD1011 Obtenga más información sobre Qorvo qpd1011a transistors	Hoja de datos	45En existencias	Cinta cortada ₡33 929,14 ₡28 058,29 ₡26 590,58 Envase tipo carrete ₡26 590,58	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 25 : 100
GaN FETs RedesignofQPD1014 QPD1014ASR Qorvo 1: ₡41 111,56 90En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante QPD1014ASR N.º de artículo de Mouser 772-QPD1014ASR Nuevo producto	Qorvo	GaN FETs RedesignofQPD1014 Obtenga más información sobre Qorvo qpd1014a transistors	Hoja de datos	90En existencias	Cinta cortada ₡41 111,56 ₡34 184,17 ₡32 659,20 Envase tipo carrete ₡32 659,20	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 25 : 100
Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227 MSC080SMA120J Microchip Technology 1: ₡14 984,20 31En existencias	N.º de artículo del Fabricante MSC080SMA120J N.º de artículo de Mouser 494-MSC080SMA120J	Microchip Technology	Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227 Obtenga más información sobre Microchip Technology microchip next gen sic mosfets	Hoja de datos	31En existencias	₡14 984,20 ₡12 819,06 ₡12 808,65 ₡11 299,30 ₡11 294,10	Min.: 1 Mult.: 1
Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor 1: ₡372 059,90 4En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSM300C12P3E201 N.º de artículo de Mouser 755-BSM300C12P3E201	ROHM Semiconductor	Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sic power modules	Hoja de datos	4En existencias	₡372 059,90	Min.: 1 Mult.: 1
Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor 1: ₡366 116,18 4En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSM180C12P2E202 N.º de artículo de Mouser 755-BSM180C12P2E202	ROHM Semiconductor	Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sic power modules	Hoja de datos	4En existencias	₡366 116,18	Min.: 1 Mult.: 1
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227 MSC40SM120JCU3 Microchip Technology 1: ₡19 548,68 18En existencias	N.º de artículo del Fabricante MSC40SM120JCU3 N.º de artículo de Mouser 494-MSC40SM120JCU3	Microchip Technology	Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227	Hoja de datos	18En existencias	₡19 548,68 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology AIGBG15N120S7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 222,39 2 325En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante AIGBG15N120S7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-AIGBG15N120S7ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology	Hoja de datos	2 325En existencias	Cinta cortada ₡2 222,39 ₡1 457,30 ₡1 087,77 ₡947,25 Envase tipo carrete ₡801,52 ₡791,11	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology AIGBG25N120S7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 461,80 869En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante AIGBG25N120S7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-AIGBG25N120S7ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology	Hoja de datos	869En existencias	Cinta cortada ₡2 461,80 ₡1 629,06 ₡1 155,43 ₡1 004,50 Envase tipo carrete ₡879,59 ₡817,13	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000
IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD AFGHL50T65SQDC onsemi 1: ₡6 432,95 734En existencias Pedido especial de fábrica	N.º de artículo del Fabricante AFGHL50T65SQDC N.º de artículo de Mouser 863-AFGHL50T65SQDC Pedido especial de fábrica	onsemi	IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD Obtenga más información sobre onsemi on semiconductor afghl50t65sqdc igbt	Hoja de datos	734En existencias	₡6 432,95 ₡3 856,65 ₡3 393,43	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT AFGHL75T65SQDC onsemi 1: ₡6 261,20 417En existencias Pedido especial de fábrica	N.º de artículo del Fabricante AFGHL75T65SQDC N.º de artículo de Mouser 863-AFGHL75T65SQDC Pedido especial de fábrica	onsemi	IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT Obtenga más información sobre onsemi on semi afghl75t65sqd igbts	Hoja de datos	417En existencias	₡6 261,20 ₡3 747,35 ₡3 273,73	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET IMLT40R011M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡9 987,73 2 195En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMLT40R011M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMLT40R011M2HXTM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 400v g2 mosfets	Hoja de datos	2 195En existencias	Cinta cortada ₡9 987,73 ₡5 844,83 ₡5 444,07 ₡5 423,25 Envase tipo carrete ₡5 423,25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET IMT44R011M2HXTMA2 Infineon Technologies 1: ₡9 930,48 1 667En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMT44R011M2HXTMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IMT44R011M2HXTMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 440v mosfets	Hoja de datos	1 667En existencias	Cinta cortada ₡9 930,48 ₡6 214,36 ₡6 209,15 ₡5 881,26 Envase tipo carrete ₡5 881,26	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000
Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET VS-SF150SA120 Vishay Semiconductors 1: ₡38 956,84 292En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante VS-SF150SA120 N.º de artículo de Mouser 78-VS-SF150SA120 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishaysemi vs vf single switch sic power mosfets	Hoja de datos	292En existencias	₡38 956,84 ₡32 019,03	Min.: 1 Mult.: 1
Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET VS-SF100SA120 Vishay Semiconductors 1: ₡31 352,84 219En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante VS-SF100SA120 N.º de artículo de Mouser 78-VS-SF100SA120 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishaysemi vs vf single switch sic power mosfets	Hoja de datos	219En existencias	₡31 352,84 ₡28 167,59 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S UJ4N075004L8S onsemi 1: ₡24 165,21 1 649En existencias	N.º de artículo del Fabricante UJ4N075004L8S N.º de artículo de Mouser 772-UJ4N075004L8S	onsemi	Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S Obtenga más información sobre onsemi uj4n normally on fets	Hoja de datos	1 649En existencias	Cinta cortada ₡24 165,21 ₡19 075,06 ₡17 930,03 Envase tipo carrete ₡17 930,03	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000
Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC FF06MR12A04MA2AKSA1 Infineon Technologies 1: ₡69 679,91 79En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante FF06MR12A04MA2AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-FF06MR12A04MA2AK Nuevo producto	Infineon Technologies	Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon hybridpack dsc s modules	Hoja de datos	79En existencias	₡69 679,91 ₡65 141,45	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET IMLT40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 314,66 1 799En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMLT40R036M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMLT40R036M2HXTM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 400v g2 mosfets	Hoja de datos	1 799En existencias	Cinta cortada ₡4 314,66 ₡2 336,89 ₡2 144,32 ₡1 977,77 Envase tipo carrete ₡1 977,77	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET IMLT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 674,49 1 795En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMLT40R045M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMLT40R045M2HXTM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 400v g2 mosfets	Hoja de datos	1 795En existencias	Cinta cortada ₡3 674,49 ₡1 962,15 ₡1 795,61 ₡1 597,83 Envase tipo carrete ₡1 597,83	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET IMT44R025M2HXTMA2 Infineon Technologies 1: ₡5 907,28 1 961En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMT44R025M2HXTMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IMT44R025M2HXTMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 440v mosfets	Hoja de datos	1 961En existencias	Cinta cortada ₡5 907,28 ₡3 872,26 ₡3 461,09 ₡3 143,61 ₡3 081,16 Envase tipo carrete ₡2 919,81	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET IMW40R011M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡9 972,12 459En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMW40R011M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW40R011M2HXKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 400v g2 mosfets	Hoja de datos	459En existencias	₡9 972,12 ₡5 917,69	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET IMW40R025M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡6 282,02 700En existencias 240Se espera el 15/7/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMW40R025M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW40R025M2HXKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 400v g2 mosfets	Hoja de datos	700En existencias 240Se espera el 15/7/2027	₡6 282,02 ₡3 544,37 ₡3 278,93 ₡3 122,79	Min.: 1 Mult.: 1