Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
RQ7E100ATTCR
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
STF10NM60N
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
PJMB390N65EC_R2_00601
Panjit
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241-PJMB390N65ER2601
Panjit
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF13N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
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DMG4466SSSL-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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DMG4822SSDQ-13
Diodes Incorporated
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621-DMG4822SSDQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
RCJ100N25TL
ROHM Semiconductor
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755-RCJ100N25TL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
SIHJ10N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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78-SIHJ10N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
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GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
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GTVA126001EC-V1-R0
MACOM
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941-GTVA126001ECV1R0
MACOM
GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -30V -10A
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RRH100P03GZETB
ROHM Semiconductor
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NRND
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755-RRH100P03GZETB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -30V -10A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
TQM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
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821-TQM130NB06CRRLG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
3 845 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
RSS100N03HZGTB
ROHM Semiconductor
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755-RSS100N03HZGTB
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
1 160 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
TQM110NB04DCR RLG
Taiwan Semiconductor
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5 202 En existencias
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821-TQM110NB04DCRRLG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
5 202 En existencias
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₡413,25
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GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT240R70ILB
STMicroelectronics
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₡2 009,00
693 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-SGT240R70ILB
Nuevo producto
STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
693 En existencias
1
₡2 009,00
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₡957,66
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR
RQ1E100XNTR
ROHM Semiconductor
1:
₡942,04
2 986 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-RQ1E100XNTR
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR
2 986 En existencias
1
₡942,04
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24 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RM10N100LDV-T
Rectron
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₡562,10
1 384 En existencias
N.º de artículo de Mouser
583-RM10N100LDV-T
Rectron
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
1 384 En existencias
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10
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₡157,70
5 000
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10 000
₡118,67
25 000
₡115,54
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GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
GANB012-040CBAZ
Nexperia
1:
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2 234 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
771-GANB012-040CBAZ
Nuevo producto
Nexperia
GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
2 234 En existencias
1
₡1 056,54
10
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1 000
₡335,18
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₡240,98
25 000
₡236,29
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A
STD10NM60N
STMicroelectronics
1:
₡1 488,53
3 643 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD10NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A
3 643 En existencias
1
₡1 488,53
10
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500
₡692,22
1 000
₡681,81
2 500
₡645,38
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2 500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
STL13NM60N
STMicroelectronics
1:
₡1 930,93
2 200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL13NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
2 200 En existencias
1
₡1 930,93
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3 000
₡556,90
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
STB22NM60N
STMicroelectronics
1:
₡1 686,31
1 019 En existencias
Verificar estado con la fábrica
N.º de artículo de Mouser
511-STB22NM60N
Verificar estado con la fábrica
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
1 019 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
STP13N95K3
STMicroelectronics
1:
₡4 189,75
374 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
374 En existencias
1
₡4 189,75
10
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₡1 941,34
1 000
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₡1 847,65
10 000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
RD3N01BATTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡952,45
2 490 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
755-RD3N01BATTL1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
2 490 En existencias
1
₡952,45
10
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100
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₡261,79
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1 000
₡292,50
5 000
₡253,47
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2 500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 80V 10A
RQ3N040ATTB1
ROHM Semiconductor
1:
₡879,59
2 795 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RQ3N040ATTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 80V 10A
2 795 En existencias
1
₡879,59
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6 000
₡226,40
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GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
GANE240-700BBAZ
Nexperia
1:
₡1 832,04
2 488 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
771-GANE240-700BBAZ
Nuevo producto
Nexperia
GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
2 488 En existencias
1
₡1 832,04
10
₡1 191,87
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₡598,54
10 000
₡593,33
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Mult.: 1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HT8KC5TB1
ROHM Semiconductor
1:
₡869,18
6 572 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HT8KC5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
6 572 En existencias
1
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₡262,84
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Ver
1 000
₡263,36
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₡237,33
9 000
₡225,36
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3 000
Detalles