IS20M8R0S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M8R0S1P
IS20M8R0S1P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220

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iDEAL Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
128 A
8.3 mOhms
20 V
4.1 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Tube
Marca: iDEAL Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 37 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5.9 ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 41.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 18.7 ns
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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drive applications. This MOSFET delivers low RDS(on) and QSW, resulting in lower switching losses and reduced heat dissipation at both full and partial loads. Typical applications include motor control, boost converters, and SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

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Existencias:
0

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1 000
Se espera el 7/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
8
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡3 070,75 ₡3 070,75
₡2 009,00 ₡20 090,00
₡1 478,12 ₡147 812,00
₡1 316,78 ₡658 390,00
₡1 160,64 ₡1 160 640,00
₡1 108,59 ₡2 771 475,00
₡1 056,54 ₡5 282 700,00

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