Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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SQM200N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM200N04-1m7L_GE3

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781-SQM200N041M7LGE

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

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200 A

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+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 375W AEC-Q101 Qualified

SQM120N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
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MouseReel Disponible

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AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4064EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40010EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM40010EL_GE3

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Vishay / Siliconix

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120 A

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Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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46 A

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55 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQ3418AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3418AEEV-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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8 A

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5 W

Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQA470EEJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQA470EEJ-T1_GE3

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SC-70-6

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

SQS482ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQS482ENW-T1_GE3

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PowerPAK-1212-8W-8

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263

SQM50034E_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM50034E_GE3

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Vishay / Siliconix

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+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40014EM_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM40014EM_GE3

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Vishay / Siliconix

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

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200 A

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375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQM10250E_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM10250E_GE3

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78-SQM10250E_GE3

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

₡2 331,68

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₡874,38

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

65 A

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- 20 V, 20 V

3 V

50 nC

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+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM70060EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM70060EL_GE3

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78-SQM70060EL_GE3

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

₡1 884,08

₡1 233,50

₡858,77

₡744,27

Envase tipo carrete

₡692,22

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 1 600

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQRS140ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 878,88
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SQRS140ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQRS140ELP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

₡1 878,88

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₡687,01

Envase tipo carrete

₡650,58

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: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

504 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

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- 55 C

+ 175 C

266 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ418EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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37 643En existencias

Cinta cortada

₡957,66

₡608,94

₡407,52

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₡294,06

Envase tipo carrete

₡258,15

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

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35 nC

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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32 950En existencias

Cinta cortada

₡1 040,93

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Envase tipo carrete

₡288,86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJQ466E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡2 113,09
10 351En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ466E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ466E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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10 351En existencias

Cinta cortada

₡2 113,09

₡1 389,64

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₡806,72

Envase tipo carrete

₡765,08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 000

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS140ELNW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡926,43
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N.º de artículo del Fabricante
SQS140ELNW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS140ELNW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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2 806En existencias

Cinta cortada

₡926,43

₡588,13

₡393,47

₡310,20

Envase tipo carrete

₡248,78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

153 A

3.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQS180ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡879,59
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N.º de artículo del Fabricante
SQS180ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS180ENW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

2 875En existencias

Cinta cortada

₡879,59

₡556,90

₡371,61

₡291,98

Envase tipo carrete

₡233,69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

72 A

8.67 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70

SQ1464EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQ1464EEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1464EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70

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14 926En existencias

Cinta cortada

₡431,99

₡268,04

₡173,31

₡132,20

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Envase tipo carrete

₡101,49

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

60 V

440 mA

1.41 Ohms

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450 mV

4.1 nC

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430 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

SQD07N25-350H_GE3
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Mult.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

7 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ402EP-T1_GE3
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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
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: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

200 V

13 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ860EP-T1_GE3
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: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡384,10

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

22.5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17.6 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W