OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs deliver superior performance via robust power MOSFET technology. The OptiMOS 60V Power MOSFETs provide >37% lower RDS(on) and ~25% higher FOMQg x RDS(on) performance than OptiMOS 5. The Infineon OptiMOS 6 60V Power MOSFETs offer higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.

Resultados: 14
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
8 532En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3 859En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
4 198En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
4 768En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
2 947En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3 891En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3 282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3 920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3 821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Hoja de datos
4 113En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Hoja de datos
5 000Se espera el 22/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
5 000Se espera el 29/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
5 000Se espera el 29/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
4 000Se espera el 10/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape