Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 99
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D81-80E/SOT1220/SOT1220 405En existencias
3 000Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 9.8 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9D23-40E/SOT1220/SOT1220 1 155En existencias
9 000Se espera el 5/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 15 V, 15 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN40XPEA/SOT457/SC-74 22En existencias
3 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP6-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.7 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN42XPEA/SOT457/SC-74 1 128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.7 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN48XPA/SOT457/SC-74 2 976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-96-1-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 6 000En existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 9 A 14 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 34 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 3 000En existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.9 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 17 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB15XPA/SOT1220/SOT1220 180En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8.2 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 100 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB27EPA/SOT1220/SOT1220 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 6.1 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB48EPA/SOT1220/SOT1220 3 000En existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4.7 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 26 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB55ENEA/SOT1220/SOT1220 3 375En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV100EPA/SOT23/TO-236AB 4 611En existencias
3 000Se espera el 9/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV280ENEA/SOT23/TO-236AB 7 867En existencias
161 900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV48XPA2/SOT23/TO-236AB 658En existencias
26 269En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 7 nC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMT280ENEA/SOT223/SC-73 7En existencias
259 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV37ENEA/SOT23/TO-236AB
510 007En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 8.8 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH103BK/SOT23/TO-236AB
121 333Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1 A 270 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 800 pC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN30XPA/SOT457/SC-74
27 000Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-457-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.2 A 33 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 11 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN40ENA/SOT457/SC-74
62 576Se espera el 30/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.2 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 10 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV15UNEA/SOT23/TO-236AB
14 919Se espera el 22/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 20 V 7 A 15 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 11 nC - 55 C + 175 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV20XNEA/SOT23/TO-236AB
51 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.3 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 9.9 nC - 55 C + 150 C 1.19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV240SP/SOT23/TO-236AB
14 994Se espera el 15/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 100 V 1.2 A 365 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 10 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV250EPEA/SOT23/TO-236AB
179 853En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 1.5 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV27UPEA/SOT23/TO-236AB
15 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.6 A 32 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 22.1 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV28XPEA/SOT23/TO-236AB
17 499Se espera el 25/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel